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电子元器件那些事儿:二极管手册解读及反向恢复时间参数由来①


二极管手册里那些重要的参数,本篇以ES1J为例进行介绍:

1. 绝对最大额定值如下:

VRRM:最大重复反向电压600V(ES1J),超过即被击穿损坏。

IF:平均整流正向电流,二极管在正常开通时的电流,也是不能大于这个值的。

IFSM:非重复峰值正向浪涌电流,测试条件实在8.3ms单半正弦波,这个参数实际并不太常用可忽略。

TJ:二极管的PN结内温度,最高150℃(了解即可)。

TSTG:存储温度(-55到150℃)。

PD:正常功耗1.47W。

2.电气特性如下:

VF:正向导通压降,测试条件为管子开通通过1A电流是,管压降1.3~1.7V这是真实的二极管压降,也就是我们经常说所有0.7V(理论值)。

TRR:最大反向恢复时间:35ns,这个参数是比较重要的,二极管分类的重要参数之一,后面会展开详细聊聊,这个值当然越小越好 ,但并不是所有的应用场合都需要选最低的,合适的就好。

CJ:结电容(8pf~10pf)之间,这个电容是造成二极管出现反向恢复时间效应的主要因素。

真实的二极管正向伏安特性如下:

二极管真正导通时候,其电压并不是一直钳位在某一特定值,而是会有一定的波动,但是我实际在用的时候不需要深入这样的细节。

二极管还有个特性就是,随着温度的升高其过流能力下降,尤其到达某一温度后,并不会一直维持在1A的情况下:


接下来让我们着重看下二极管最大反向恢复时间是怎么来的,假设如下电路输入是一个方波电压源,正负交替的方波,正半周时二极管开通,以ES1J为例,流过的电流为1A。

理想情况下,再负半周时,二极管截至,没有电流的流过,然而真实的二极管会有一个结电容的存在,数据手册中提到过这个结电为8p或10p。

由于结电容的存在,负半周需要对电容充电,而充电是有电流的,当电容被充满后,反向截止,电流消失:

而根据二极管的反向恢复时间可以将二极管分为以下四类:

普通整流二极管:反向恢复时间大于500ns。

快恢复二极管:反向恢复时间150ns~500ns。

超快整流二极管:反向恢复时间15ns~35ns。

肖特基二极管:反向恢复时间小于10s。

这篇介绍就到这里啦,希望对大家有帮助。

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  • TH2010 2星期前
    学习了,谢谢分享!
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