悲哀啊,这么基本的问题居然没人知道!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!

我再顶

自己顶一下,继续求答案

厉害!看了您回贴,我特意对比了几个MOSFET和IGBT的规格书.发现MOSFET的输出电容Coss确实比IGBT要大许多,因此硬开关时,MOSFET开通损耗应该比较大,而关断时由于对Coss充电比较慢,损耗会小很多.但是IGBT规格书上标明的开通损耗确反比关断损耗要大,比如infineon的SKW15N120和IKW40N120T2.[图片]500){this.resized=true;this.width=500;this.alt='这是一张缩略图，点击可放大。\n按住CTRL，滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}"onclick="if(!this.resized){returntrue;}else{window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/69/126481221959742.gif');}"onmousewheel="returnimgzoom(this);">请高手解惑,谢谢!

一个PFC+DCDC的电源系统,想测DCDC部分的效率DCDC的输入电流(也就是PFC电容的输出电流)用万用表测量,所以比较关心测得的是有效值还是平均值.另外将PFC电压与测得的电流值相乘作为DCDC的输入功率,不知这种测法是否准确?很感谢大家热心解答,不管懂不懂,都可以发表自己的见解.在这里发问的人都希望能将疑问弄清楚,而不是看到冷嘲热讽,有可能我误解了冒号兄回贴的意思,如果这样的话我向你道歉,希望你继续顶帖

很可笑吗??请注意有效值只是方均根值,DC电压怎么就没有效值和平均值之分了?不懂就不要乱说!!

自己先顶一下

好人啦,谢谢,顶了再下

好像DCM模式下电路模型为一阶单极点模型,稳定性较好,而CCM模式下为二阶双极点模型容易振荡吧?

被楼主的精神感动,不得不下,不得不顶!非常感谢!!!