@nestling
还有人问这种问题!这个与开关器件有关,目前开关电源里面使用最多的开关器件是MOSFET,这个器件的主要开关损耗来自开通时的容性损耗,所以ZVS是合理的.而且对于MOS桥式电路,由于MOS固有的体二极管的反向恢复,如果工作在ZCS会桥臂直通;如果你用IGBT,那就反过来了,因为IGBT的主要问题是关断拖尾.电力电子的核心是器件,没有弄懂器件的基本原理的人是不能理解电源的.
厉害! 看了您回贴,我特意对比了几个MOSFET和IGBT的规格书.发现MOSFET的输出电容Coss确实比IGBT要大许多,因此硬开关时,MOSFET开通损耗应该比较大,而关断时由于对Coss充电比较慢,损耗会小很多.但是IGBT规格书上标明的开通损耗确反比关断损耗要大,比如infineon的SKW15N120和IKW40N120T2.
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请高手解惑,谢谢!