建议大家参考一下本网站上：功率器件中，有一份文章：MOSFET的UIS及雪崩能量2011-12-0709:07来源：电源网作者：sky，或许对大家有用，供参考，谢谢！

建议了解一下贵司採购的芯片给出的不同标准下ESD的承受能力，45V的4KV-12KV吧，仅供参考，谢谢！

ESD击穿的概念是从早期的CMOS导引过来的，因MOS器件的原理：是电压开启模式，输入阻抗为：10的7-15次方欧，故对静电要求比较高，对普通的元器件来说，ESD是非常的不敏感，这个方面军长说的对！供参考

对于芯片的结温：1.晶园厂对芯片对应等级进行设计；2.选用的芯片的原材料；3.芯片生产的工艺；4.封装厂选用对用等级的芯片：125、150、175生产对应的产品型号，一般产品规格书中都会给出，供参考；

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1.我有8A10A15A600V带软恢复功能的二极管，可以供样试试（07-12年这颗料在某大厂的TV电源PFC电路中，每年用量在5-7KK，也没有问题，供参考）2.PFC电路中升压二极管的前面，有串特殊电阻没有？仅供参考；

学习而已，多指教，谢谢！

更正一下：是SUN65881.请再研究一下软起动二极管的作用；2.我说的是PFC回路中的升压二极管；3.其实就是差那么一点问题就解决：换9N50方向是对的！过多的考量成本，问题反而出现！（但一定要排除铝线问题,在长虹是有发生过的！） 

1.失效率多少？2.有没有排除人为的加大功率测试？3.有没有做过了ESD等测试？4.器件两端的峰峰值电压是多少？5.到拆机更换的状况：不良品解剖下来连接的铝线是否有问题？可能性很大！  5.PFC回路中的二极管是否有软恢复功能？ 仅供参考！

1.加一下RC试一下2.嫌烦试一下敝司的软恢复功能的二极管，仅供参考