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johnsonzhang81：
VDS20V足够了,因为输入电压与电池电压的差远没有40V(两个MOSFET串联)
2008-01-16 16:45 回复
原帖：请教: 单节锂电池保护电路中的MOSFET一般都是什么公司的?
johnsonzhang81：
功耗=ID*ID*RDS(ON)其实功耗与发热是同一个概念
2008-01-03 17:20 回复
原帖：请问选用MOSFET(用于高频电源)需要哪几个指标?
johnsonzhang81：
选用MOSFET,最主要看以下参数1.BVDSS2.BVGSS3.ID4.RDS(ON)5.QG最后就是,最好流一定裕量
2008-01-03 17:18 回复
原帖：请问选用MOSFET(用于高频电源)需要哪几个指标?
johnsonzhang81：
#该内容仅管理员可见#
2008-01-03 17:15 回复
原帖：
johnsonzhang81：
电路不清楚,没法解释,最好上传个电路图
2008-01-03 17:11 回复
原帖：各位HID工程师说一下全桥上用的MOSFET 型号
johnsonzhang81：
这样的MOSFET,其实很多,我们公司就有,关键要看RDS(ON),这个参数越小越好,小的话,可以提高效率.请参阅详情Feature:VDS(V)=20V,ID=6ARDS(ON)=21mΩ@VGS=4.50VRDS(ON)=22mΩ@VGS=3.85VRDS(ON)=26mΩ@VGS=2.50V
2008-01-03 16:36 回复
原帖：请教: 单节锂电池保护电路中的MOSFET一般都是什么公司的?
johnsonzhang81：
开始时从体二极管流(因为二极管导通比MOSFET快),当MOSFET导通时,二极管关闭(因为MOSFET的导通压降比二极管小),二极管被嵌位(二极管关闭)
2008-01-03 16:28 回复
原帖：N沟道的增强型MOSFET在同步整流时,电流是从S往D流?
johnsonzhang81：
#该内容仅管理员可见#
2008-01-03 16:21 回复
原帖：
johnsonzhang81：
就我的理解,MOSFET的损坏分电流损坏,电压损坏两种电流损坏电流损坏就是MOSFET过的电流超过它的额定值ID,电压损坏电压损坏就是MOSFET的电压超过它的额定值BVDSS,BVGSS其实最关键的就是过功率P=V*I大家可以参考“安全工作区”只要在安全工作区以内,一般MOSFET都不会有问题,最好留一定的裕量值得注意的就是MOSFET很容易受ESD的影响
2008-01-03 16:14 回复
原帖：MOSFET的损坏机理有哪些?不同的原因会出现哪些现象?
johnsonzhang81：
我们公司有这样的MOSFET,请参阅!FeaturesVDS60V,VGS20V,ID75A,RDS(ON)
2008-01-03 15:48 回复
原帖：求MOSFET管,同步整流用
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