0
回复
收藏
点赞
分享
发新帖
论坛首页
电源技术综合区
MOSFET的损坏机理有哪些?不同的原因会出现哪些现象?
MOSFET的损坏机理有哪些?不同的原因会出现哪些现象?
MOSFET的损坏机理有哪些?不同的原因会出现哪些现象?我使用的保护板老是MOSFET(IRF1010E)损坏,请高手指点.
全部回复(1)
只看楼主
正序查看
倒序查看
现在还没有回复呢,说说你的想法
johnsonzhang81
LV.2
2
2008-01-03 16:14
就我的理解,MOSFET的损坏分电流损坏,电压损坏两种
电流损坏
电流损坏就是MOSFET过的电流超过它的额定值ID,
电压损坏
电压损坏就是MOSFET的电压超过它的额定值BVDSS,BVGSS
其实最关键的就是过功率P=V*I
大家可以参考“安全工作区”只要在安全工作区以内,一般MOSFET都不会有问题,最好留一定的裕量
值得注意的就是MOSFET很容易受ESD的影响
0
回复
提示
工程师都在看
【 DigiKey DIY原创大赛】基于双向电源模块设计的双向直流大功率源载一体机
电源技术砖家
【 DigiKey DIY原创大赛】自平衡莱罗三角形(一)-无钢网焊接
地瓜patch
【 DigiKey DIY原创大赛】便携式直流正负电源模块
旺仔小玄奘
【 DigiKey DIY原创大赛】12自由度教育性四足机器狗
严己宽人111
【深度剖析】车载充电器:提高电动汽车充电效率的功臣
电源网-fqd
精华推荐
换一换
立
即
发
帖