驱动问题解决了，在按照上述方法修改硬件，搭载了后续的吸收回路，关断时间达到了要求，约180uS，但波形有过充，后期有震荡，后来准备买大一点的电容来吸收，今天wima的电容到货了，1.5uF，替换掉原先CDE0.47uF的电容，关断延时拉长了，约240uS，估计购买的wima电容不是无感电容。

谢谢，IR2110不能产生负压，驱动上面的确有问题，估计还是需要光电隔离或者变压器隔离，但是对于我快速关断不利啊

刚才把电阻换成了470欧姆的，示波器测量两端电压为3V，计算电流约为6mA，估计可以满足推动IPM的需求，等明天新的IPM到货以后再告诉大家实验结果。

经过分析，可能是光耦导通不足引起的，我在单片机的引脚外接了1K电阻再接的光耦，实测电流在3.5mA左右，而二次侧需要1.75mA的电流，如果按照电流传输比CTR=30%算，需要6mA的电流，我把电阻换成470欧姆的试试[图片] [图片] 

好强的连接器啊

我将尽力提升开关管工作频率为1Mhz,陆续会将实验结果贴到这里来

很快的,今天收到了Maxim用圆通快递给寄过来的样品,SO8封装的,下一步是向英飞凌要MOS管了,呵呵,有点无耻.

看起来高手都看不上我的这个小项目,我自己顶一下吧,看还有什么好心人帮助我我准备用IR2110试试看了,然后选择英飞凌的MOSFET,做一个H桥,突发奇想功率可以不是很大,我可以用多个相同的电路做发射源,最后将磁场叠加,电压和电流减小后估计可以取得非常小的关断延时,希望能控制在1微秒以内,大家等我的消息哦刚得到的MAXIM的回复,我向他们询问了高速驱动电路的有关问题,回复如下,看来这个产品参数很诱人哦.MAX15012/MAX15013是高频、175V半桥、n沟道MOSFET驱动器,在高压应用中驱动高侧和低侧MOSFET.这些驱动器可以独立控制,输入到输出的传输延时典型值为35ns,匹配在2ns(典型值)以内.这些高压工作器件具备极低的传输延时和较高的源出或吸入电流能力,非常适合大功率、高频、电信电源转换器.在VDD与BST之间具有可靠的自举二极管连接,省去了外部分立二极管.刚才已经申请了样片,一个工作日后寄出

希望有高手帮忙,这个是特种电源了,本人将持续关注,希望做出具有国际水平的电源产品.

英飞凌的产品看起来很诱人哦,不过我想知道IR2110是否也引入了损耗,他的开关频率是不是低了?