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eiyouwei：

DMOS

2010-11-26 22:51 回复

eiyouwei：

把你的条件说清楚，别人就能够帮上忙了。你需要说清楚你的拓扑结构、输入电压范围、工作频率（如果用IC的话最好把IC型号说出来）

2010-10-10 10:25 回复

eiyouwei：

用EFD25做100W很难

2010-06-01 21:22 回复

eiyouwei：

第一帖上不是有原理图吗？我按照那个原理图说的

2010-02-20 11:36 回复

eiyouwei：

如果是震荡了的话调整如下参数都会看到效果的1、C13变为原来的10倍或更高2、R18变为原来的2到5倍3、R19短接4、C14变为原来的10倍或更高震荡了就是要增加相位裕量，降低开环增益

2010-02-09 22:14 回复

eiyouwei：

第二种在mos管导通的时候会对电容充电，在mos管关断的时候反向充电。虽然吸收效果显著，但是损耗可能也很大，而且对电容冲击以很大。

2010-01-13 21:52 回复

eiyouwei：

差别这么大的话，变压器的绕法要检讨一下了。最好用示波器测试是否差这么多，万用表测试这种波动的电压是会有较大的误差。差别这么大是很不正常的

2009-12-30 21:32 回复

eiyouwei：

4148下面的那个电阻改为零欧姆的就可以了，主要是VDD电压偏低引起的，vdd电压过低就发生欠压保护了。最好的方法是辅助线圈多加1圈就可以了。

2009-12-30 15:28 回复

eiyouwei：

是否腿都是镀金的?呵呵

2009-12-23 14:43 回复

eiyouwei：

我们的做法是电源输入部分用变压器隔离,同时变压器用隔离探棒而不是普通的探棒.

2009-12-22 19:03 回复