哪能喊我高手...别人会笑的,咱互相学习.    R117太小的话,MOS电流,流过R117产生的电压太小,无法使V115G级导通,所以需要很大的电流,过流保护不起作用,结果就成你那样了.    建议你R117取个合理的值,太大的话效率会低的.    可以把R112(V115G级限流电流)换小,但必须比R117大10倍以上,好配合R117调试.R114200R左右试试也能起作用.    图好模糊...不知道有没有看错.  最后谢谢您的加分.

可以附上你图片的值吗?你那感觉上是过流不保护,而导致MOS电流达到雪崩程度,引起频率变化.  线路看上去没问题  图比较模糊  我简单的分析了一下    1R117电流感应电阻可能取值太小  导致它右边的那电阻上的电压太低无法启动V115拉低MOSG级电压  2初级光耦限流电阻取值过大,不起保护作用.  3光耦下面的延时电容取值过大,使三极管不能工作.  个人见解,有什么毛病请过路高手指点!

你有测试下变压器的温度么?是不是一下就很烫?  看下图象是变压器饱和磁化电流很大,导致电流检测电阻电流猛升.

如果PCB和变压器设计不合理,又不加Y电容,EMI差那是相当的严重!

....当然是AC90V

没有用,Y电容是针对EMI的,对你那些低频的没用.

后面有中文说明,  是输入电压,算90V的  低压电流大

这位大哥,在哪做啊?    貌似这些问题挺初级的.  FUSE个人经验取值参考:1.  Pin=Pout/Eff  2.  Vacmin=INPUTVOLTAGE    取(AC电流值)Iac*2---3倍值为FUSE值比较合适.举例:ACin=90V—264V  Pout=60W        Iac=(Pout/Eff)/Vacmin/PF=(60/0.8)/90/0.55=75/90/0.55=1.5A*2=3A取2.5A-3A/250V  输入电流平均值=输出功率/(效率*VS),因为输出功率除以效率就是输入功率,然后输入功率再除以输入电压就是输入电流,这个就是平均值电流.  Ipk=2*Pout/(Vsmin*Dmax)  Vsmin为高压电容最小DC  MOS及肖特基为电流的3-5倍.视温度与效率决定,尽量选小内阻的.      有错的地方,请高手不吝赐教!

这位兄弟,非常感谢你帮我找到这资料,我之前有,后来不知道放那里了,网上找的都是缺页的!  再次感谢!

能告诉我BCD的AP3706ICFB脚基准电压是多少吗?    我不小心忘了.