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liuxinso:
关键是在于重叠的部分。所以开通的时候,你要把电流一直抑制在零,是很困难的,本来就很小。关断时是一样的道理。
2011-12-03 21:11 回复
原帖:对于功率mos管,零电压开通优于零电流开通的依据是什么?
liuxinso:
在开通时,MOS上的电流就是零哈。关断时,MOS上的电压也是很小滴。
2011-12-03 21:10 回复
原帖:对于功率mos管,零电压开通优于零电流开通的依据是什么?
liuxinso:
mark
2011-11-30 21:48 回复
原帖:【原创】跟我学系列之二,元器件降额使用参考
liuxinso:
隔离型的不需要检测漏电流吧。而且漏电流肯定很小哦。
2011-11-21 14:56 回复
原帖:microchip的光伏并网逆变参考设计
liuxinso:
1相位跟二极管的接法也是有关系的。漏感吸收部分用的是有缘前卫,将漏感能量存在电容中,下个开关周期再释放掉。所以效率可以做的好。2交错并联flyback,不仅仅是升压,还有调制,也就是说,flyback的输出是100Hz/120Hz的馒头波,再通过SCR进行逆变,SCR只是工频换向罢了。3这个案子是最常用的一个案子了,只不过有源前卫部分是个专利,不能商业化。需要自己变通一下。
2011-11-21 14:53 回复
原帖:microchip的光伏并网逆变参考设计
liuxinso:
即使尖峰小于DIODE的电压应力,但是还是建议你加一个RC,损耗可以这样计算:0.5C*U*U*f,C可以取个pf级的,比如470p,损耗也很小,但是整个电压尖峰和EMC都会有很大改善
2011-10-25 22:36 回复
原帖:这个尖峰电压是什么引起的
liuxinso:
效率并不是唯一追求的。稳定性更重要些。
2011-10-23 11:57 回复
原帖:这个尖峰电压是什么引起的
liuxinso:
任何电路都有其优点和缺点。呵呵。要不你用有源嵌位,加一个MOSFET加一个电容,加驱动电路,再弄个控制时序。
2011-10-23 11:57 回复
原帖:这个尖峰电压是什么引起的
liuxinso:
在二极管上加RC吸收电路
2011-10-21 11:38 回复
原帖:这个尖峰电压是什么引起的
liuxinso:
空载时,没有输出电流,变压器原边只有磁化电流,你可以计算计算,励磁电感、漏感、电容之间的谐振频率和峰值。
2011-10-11 21:11 回复
原帖:【讨论】全桥移相控制芯片讨论
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