只是想MOS不一样，寄生电容值不一样，导通阻抗不一样，开关速率不一样，能否有点改善。但实测，完全没有影响。

紫色为输出电压波形。二次侧的尖峰电压反映到了输出端。[图片]

现在用的东芝的TK25A10K3，换过华润华晶的CS35N10FA9，没有明显变化。华润的Rds更小，寄生电容大点。下图东芝的参数[图片]下图华润华晶的参数。[图片]

因为应用条件特殊，要求为高PF，而且要过CLASSC的谐波测试。（25W以上产品的标准）就是因为以上要求，所以前级PFC升压到417V，再由417V变为5V，所以变压器匝比会比较小，匝比大的话初级MOS-D的电压会很高。三明治绕法是我写错了，实际绕制是正确的。主要问题是次级尖峰很高，然后反应到了输出电压上，在输出电压上也出现了一个6V的尖峰。顺绕我去试试看，但因该影响不大。

是的有点怪，但实测就是这样。

不好意思，顺序写反了，实际是一次侧在最外面的。

所谓国产，不过是做了个封装吧。当然不会写手册了，只能照搬。  

Y电容主要是为了EMC，EMC能过的话可以不要。容量大小也是和EMC有关，但是容量大的话耐压有可能会过不了，具体要看你的绝缘距离和寄生电容的容量了。

感谢楼主。我公司在设计电路时也进行部品余量试验，评价降额比率是否合适。但对于降额的多少一直很难有个标准。楼主的经验非常宝贵。

不知道采购在哪里买的就在用了？你没有指定厂家么？