用DS压降检测感觉有以下几个缺点：1、受温度影响较大；2、不同型号MOS保护点不一样，并联管数不一样保护点不一样；3、要增加不少不少外围元件。在考虑怎样建立一个可靠的保护系统，心里有一定的想法了，准备做个实验。要做到可重复性好，只要校准一次，以后按相同工艺做就不需要再校准。在淘宝上没找到十几块的成品，问下hms_ok，哪里能找到？我虽然离深圳赛格只有500米远，但是去那找也是大海捞针啊。。。

输入60v时，4468耐压不够吧？才100v。

两位旅长，这是暗号么？革命成功啦？

谢谢老寿。只能先用着看看，还是有点担心空载时击穿场馆。

同一个变压器，之前用在别的电路上没问题。MOS管的驱动也很好。这是空载的情形，如果加上负载，则DS波形就变得相当好。分布电容？能否具体些？

没调小电容试试？

理论上是1440v，但实际上由于电池电压偏高和漏感等等原因，空载时或会超出1440v，加一个过压保护比较可靠。

我有2个疑问：1、C6上应该是2倍压660v，而不是330v。2、D4的半波应该不算损耗吧？看不出损耗在哪个元件上。

精神可嘉,顶但是..但是..C6貌似也是800v,小心22块又没了!

平顶处貌似没有750V，呵呵如果峰值能到1500v，估计下水效果不错了。这个电路优点是控制简单灵活，没有电感的能量浪费和发热问题；缺点是管子要求太高，要想做更高电压几乎找不到管子了。