请各位大虾帮忙看看变压器参数是否合适

磨过气隙了

PWMIC用的UCC3805

老兄，这个只是保护电路。不加555那部分仿真可以通过，但是加上555之后软件报错。但是从原理上来讲是可行的，有二极管隔离。加555的目的是尽量增加Q4的导通时间，缩短了一个周期内MOS的导通时间（因为电路要求短路排除后能自恢复），给BOOST的整流管减小压力。可惜电路太复杂，增加的器件太多，想找个简单的方法太难。大电流输出加PTC不现实，因为是升压电路，如果加在输入端，MOS的电流更大，散热难解决，只好加在输出端牺牲调整率了。哪位兄弟有更简单的方法，别藏着掖着啊，贴出来研究研究。

刚刚画了这个电路，只针对短路保护，还没搭实际的电路测试，看下可行吗？有些复杂[图片] 555是为了减小打嗝时MOS的导通时间，通过D4可以把短路时MOS导通时间限制得很小。

漏极波形还是在一些点上有一点晃动，不过已经不影响正常工作了，输出加了共模线圈后纹波也很好，在50mV左右

是的，充分利用其它层。另外，有一部分是焊盘，原来打算用立式骨架绕电感，后来直接用铁硅铝磁环了，那些焊盘没用了

888贴目标还远，大家还需努力

1.低压输入的时候热，应该是因为输入电流大，MOS和电阻上损耗增大，二极管温度倒还可以2.3862出来的驱动我测过，是10V的，并联主要是想尽量减小RDS，而且两个MOS分担一下也踏实点3.至于散热，照你说的先试试下来准备换成这个管子，RDS更小，只有7毫欧[图片] 

整流管是STPS30H60，30A/60V的，D2PAK封装，昨天加电满载工作一小时，没有任何额外散热措施，二极管是有点烫手，不过还能接受。但是密闭环境中肯定不行了，所以后面还得想办法加强散热。倒是MOS和电流采样电阻在低压输入的时候发热严重，时间一长手就不敢摸了，不能长时间工作。目前用的MOS管RDS是17毫欧，准备换为7毫欧的再试试。电流采样电阻5毫欧，恐怕不能再小了。现在正在考虑怎么额外增加散热呢。你有什么好的办法吗？你的散热器是怎么贴的？我实际的板子可能会比目前的大一点我板子的顶层（还得调整，散热面积还得加大）：[图片]