roc918：
MOSFETVDS接负电压使用 1. N-ChannelMOSFET的制造工艺N-ChannelMOSFET是以一块杂质浓度较高的P型硅片作衬底,扩散/外延2个N+区作电极,分别为D/S.在D/S间的绝缘层上再制造一层G. 当G/S间加正电压时,由于绝缘层的存在,没有电流流过,但是栅极被充电而聚集正电荷,P型衬底中的多子空穴被正电荷排斥而在表面留下带负电的耗尽层.当Vgs增加时,耗尽层加宽.继续加大超过Vgs(th)时,衬底中的电子被正电荷吸引至表面,在耗尽层和绝缘层间行成反型层.这个反型层就是导电的沟道. 2.N-ChannelMOSFET 电流的形成由N-ChannelMOSFET的制造工艺可以看到,导电沟道的形成是靠Vgs,只要在gs之间增加高过门槛的电压，就会在D,S之间形成导电沟道。此时，只要在D,S间加电压就有电流流过。电流的方向由D,S间电压电位差决定：在D,S之间增加正电压，电流由D流向S；在D,S之间增加负电压，电流由S流向D； 3. 寄生二极体从何而来？一般MOSFET出厂时，通常会将源极S和衬底短路以降低导电沟道形成的门槛电压，这样在源极就通过衬底同D极之间形成PN结，即我们常说的寄生二极体 4. V（DS）为负时，电流是否从寄生二极体流过？在D,S之间增加负电压时，由I*Rds(on)