mosfet是双向的么

MOSFET VDS接负电压使用

1.      N-Channel MOSFET的制造工艺

N-Channel MOSFET是以一块杂质浓度较高的P型硅片作衬底,扩散/外延2个N+区作电极,分别为D/S.在D/S间的绝缘层上再制造一层G.
 

当G/S间加正电压时,由于绝缘层的存在,没有电流流过,但是栅极被充电而聚集正电荷,P型衬底中的多子空穴被正电荷排斥而在表面留下带负电的耗尽层.

当Vgs增加时,耗尽层加宽.继续加大超过Vgs(th)时,衬底中的电子被正电荷吸引至表面,在耗尽层和绝缘层间行成反型层.这个反型层就是导电的沟道.
 

2. N-Channel MOSFET 电流的形成

由N-Channel MOSFET的制造工艺可以看到,导电沟道的形成是靠Vgs,只要在gs之间增加高过门槛的电压，就会在D,S之间形成导电沟道。此时，只要在D,S间加电压就有电流流过。电流的方向由D,S间电压电位差决定：在D,S之间增加正电压，电流由D流向S；在D,S之间增加负电压，电流由S流向D；

3.      寄生二极体从何而来？

一般MOSFET出厂时，通常会将源极S和衬底短路以降低导电沟道形成的门槛电压，这样在源极就通过衬底同D极之间形成PN结，即我们常说的寄生二极体

4.      V（DS）为负时，电流是否从寄生二极体流过？

在D,S之间增加负电压时，由I*Rds(on)可知，反响导通时，导电沟道的压降小于二极体的导通压降（0.7V~1.2V）,寄生二极体被短路。

5.       为何一般规格书中都没有反向导通的规格

我们所看的一般文档都是着重阐明如何去控制MOSFET的开通和关断，而规格书中一般给出的是D电压高于S,而不是S高于D,因为后者相当于MOSFET处于失控状态.

6.      结论：

由以上阐述可知：MOSFET的电流是可以双向流动的且正向导通和反向导通具有相同的特性。