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场效应管是电压控制的器件,栅极电流不能搞太大,否则损耗太大、也容易死掉
2012-08-02 13:19 回复
原帖:两个场效应管不能组成复合管么?
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电压高的VCESAT也高
2012-08-02 13:17 回复
原帖:IGBT承压越大不是越好?
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电容一般都有余量的,AC350V时应该还没超过耐压值,三极管更是没关系的VCES一般都很高
2012-07-13 14:49 回复
原帖:出口印度节能灯该如何设计?
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印度那边电压不稳定,我想应该需要宽电压的节能灯吧,很多客户都是340V、常温2小时考核的
2012-07-12 08:10 回复
原帖:出口印度节能灯该如何设计?
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解压成功的确是本好书!
2012-01-29 09:04 回复
原帖:[共享]《精通开关电源设计》中英文合集~
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栅极有足够大的驱动电流,使得MOSFET快速开启;MOSFET关断时有一个快速释放体内电荷的回路。
2011-11-11 18:29 回复
原帖:Mosfet 的杂谈
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能够保证MOSFET工作状态良好的前提下,个人感觉最大电流越大、安全工作区就越大,选用大的管子会有好处的。
2011-11-11 17:45 回复
原帖:MOSFET的额定电流越大越好么?
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如果从内部结构分析的话,MOSFET内部是存在PN结这个结构的
2011-11-11 17:38 回复
原帖:MOSFET D脚可不可以悬空
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还是希望有时间把测试的波形传上了看看,不知你测试的位置是不是正确。
2011-11-11 17:36 回复
原帖:MOSFET寄生二极管反向恢复时间测试问题!
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写的很详细,一定多研究一下
2011-11-11 17:33 回复
原帖:好资料分享——高效率同步整流MOSFET设计资料大全
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