我算过3mH的△B，开机时候很大已经导致磁芯饱和了，稳态△B为0.4，有点大了，所以我后面把电感改为1mH，稳态时△B为0.15可以接受，但是开机电流还是很大，我的这款开关电源芯片太老了，是电压型控制的，现在打算改变压器把可靠性提高，后期打算把开关电源方案换掉了，太难弄了，开机电流根本不可控

我的工作频率是50kHz，这样的话会不会导致电源不稳定

对，没有开气隙，磁芯类型是东磁的DMR40。后来我把气隙磨掉了一点（估计0.5mm的样子），把电感降为1mH，在100HZ测量是为3mH，在1Khz测量时为1mH，变化量还是有点大，是不是气隙开的太小了

我的变压器，在100HZ下测量原边电感有24mH，1kHz下测量有3mH，10kHz下测量电感有2.8mH，是不是变压器的磁芯选的有问题

（1）软起时间加长，是不是指下面的这个软起电阻加大，使开关电源在启动的时候，母线电压比原来低，原边电感不容易饱和[图片]（2）减小原边电感，是不是可以理解为我如果把负载侧负载加大也可以呢。

峰值电流是不会击穿MOSFET，但是我们公司用的开关电源芯片是KA5L0380R，一款很老的开关电源芯片，没有电流环控制的，这个芯片的电流保护是2.15A，我现在的起机电流折算下来是2.14A，刚好在这个临界值上，就怕批量的时候有可能会误触发这个过流保护功能，开关电源会工作不正常。而且我的稳态电流波形为什么看起来也像CCM模式呢 

自己顶一个，因为帖子里面有几张图片，内容会刷新比较慢，各位大侠们耐心等待

2楼正解，上面那个MOS肯定反了，这样起不到MOS的开关作用，下面那个防反接MOS这样接是没错的。楼主查查上面那个MOS管是否抄对了

我是做伺服的，目前来说单管保护大部分都是用专用芯片来做的，效果很好也很稳定。对于公司来说，新研发的产品要的就是要快速和稳定，也许是现在中国企业的通病，产品开发的时间都比较短，没有那么多时间去慢慢搞研究，一个专用芯片10块，和采用其它方法可能只需要5块钱，就成本来说节省的不多，很少有人肯花时间去做这些研究

好吧，更大功率的，别人都是直接用接触器，不用继电器并联了，我想也可能是基于这方面考虑吧