EMI开关电源EMI产生及EMC对策涉及太多因素.从本质上讲都是电压变化(dv/dt)电流变化(di/dt)引起的.其中传导干扰是由于变压器初次级绕组间分布电容将初级绕组对大地的电压变化(dv/dt)藕合到次级绕组使输出端呈现出对大地的噪音电压.辐射干扰则是电压变化(dv/dt)电流变化(di/dt)引起的电磁场辐射.针对你的具体问题建议在Bridge2个AC端与高压电容负级(当Y1电容接点在高压电容负级时)加2个2.2nF1KV瓷片电容,传导应当可以了.你看一下开关管漏级电压波形,上升沿不能太陡,上升时间调整到130nS左右,EMC容易做.另外可用磁珠吸收及屏蔽措施.再有当元件及PCB一定的情况下变压器对EMC至关重要.

R10,R11对100-240V50/60Hz宽电压输入,经验上取R10=1.2M欧1/4WOK;R11=100--510欧,要调整R11使MOS管Drain波形off时上升时间为100--200nS取150nS最好,可以兼顾EMC及MOS管功耗.我是第一次上网讨论问题.对了,R11位置最好改在MOS管Gate上.