拆过两个变压器进行对比,不良品的辅助绕组是采用的密绕,良品时采用的疏绕,开始我也认为是否是这个原因引起,但是让供应商从新采用这种密绕和疏绕的方法各做了十个样品,经测试却都是合格的,真的很奇怪.    我将不良变压器的磁芯拆掉换上一个良品上的磁芯测试,也呈现不良.应该可以确定是绕线上的问题,但就是不知道绕线是怎样引起这种问题发生的.

有不同见解的,发表一下啊,先谢过!!

怎么没人帮忙啊,大家发表点意见啊,先谢谢各位了.

我们用的IC是3843,频率在43KHz左右.电流环电阻为1.5K,电容为1nF,这样的取值是否合适呢?

G-S,D-S都短路了!

请问这个问题会不会因为在固定mos到散热片上时,用力过大而引起mos性能不良呢,我公司用的是风批,没有做到力度的控制.

应该不是变压器饱和吧,开始我觉得是不是MOS有问题,但是有没办法确定.生产时不良率有时会达到1%左右,有些是在老化过程中损坏,有些是在老化之前的功能测试时损坏.

有没有遇到过此类问题的朋友啊,一起讨论下!

试过了,通常损坏了的产品,再打高压就没什么反应了.

还有就是通常换了被损坏元件后,在做高压测试,不会出现问题!