现在的逆变器基本都有MOS做防反接，这样反接也不会烧保险，如果有这二极管反接时还会烧保险，似乎不够理想另外我看见不少有防反接MOS的电路图也有这个二极管，那这个二极管是不是就多余了？我个人理解：如果考虑MOS的Coss，这个二极管和这电容是跟变压器的前级线圈串联，似乎可以形成一个放电回路，达到降低尖峰的作用另外在本论坛好像有个帖子提到过这二极管好像可以保护输入电容防止烧脚的作用，不知道这说法对不对

是不是我看错了，10KW单变压器？

说错，R33不是多余的，是S1复位时限流用

这就是一个自锁电路，楼上有人说是单边迟滞，当然也没错的。自锁其实也可以算是单边迟滞极端方式。注意看这几个电阻的参数，一旦7脚输出高电平了，左下角的51K的电阻的输入电压低至0V（负压除外）也一样不能复位，只能依靠S1进行复位，而这又恰好有个S1,所以自锁电路无疑，只是这么设计有点多此一举，去掉R33更合理。

谢谢，请问下你们做的逆变器是修正弦的吗，输入电压是多少呢

这两项参数是否又跟输入电压有一定的关联，比如12V输入和60V输入的逆变器

[图片] 前级频率降至22K左右，空载时的DS波形，尖峰高得吓人。尝试过调大调小死区时间都无法改善尖峰的问题

4个3205顶足量的800W确实够呛（我现在负载800W因为输出电压低，实际只有680W左右），手上还有4004、4504这样强劲的MOS，做高功率在MOS方面应该是没问题的。另外我用的是2个EI40变压器，一个EI40顶800W打死也做不到啊（12V输入）。现在的问题倒不是因为带高功率负载才导致尖峰的，而是我为了想带更高的负载采取降频率的方式，结果降频率后空载也会有尖峰。如果说是磁饱和了，是不是只能换磁芯或者维持之前的频率？

[图片] 类似于这样的，时间越久尖峰越高

之前怀疑过是变压器的工艺问题，也更换过变压器依然没有改善，另外，用40K前级频率的时候没尖峰，应该可以排除是变压器工艺问题，现在如何解决既降低前级频率又不会产生尖峰这个矛盾呢？