负载转空载烧MOS管

大致的情况是：12V输入，前级MOS是两对共4个3205，驱动芯片是SG3525，变压器是EI40，初级线圈3+3，之前的前级频率是40K，带载800W一直没大问题，只是输出电压较低才190V左右，且变压器和MOS发热很厉害（虽然靠风扇散热长期老化不至于烧）。

后来想尝试接更大功率的负载1000W左右，于是降低前级频率（降级前级频率的好处是降低MOS和变压器的发热，坏处是空载输入电流变大了）至30K，接900W负载老化，在开机及老化过程中一直也没问题，测得的数据也如我预想的那样，带载900W比带载800W时的输出电压还高些，同时MOS管和变压器的温度还有所降低，本来一切都很顺利的，结果在我断开负载从带载转为空载的几秒到十几秒后，逆变器磁磁几声冒烟了，拆开看前级MOS 3205烧坏得很严重，这期间有用过能承受更大电流的MOS测试，也试过将变压器初级线圈两端并一个5.1R和102电容（电容和电阻串联再和初级线圈并联）依然烧坏严重，而且就只有带载转空载才会烧，是我的前级频率不能用这么低吗？实在不知道问题出在哪里，论坛里大神多，求指点指点，谢谢！

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LV.6

2016-10-29 09:18

同等

ss50495134

LV.2

2016-10-30 18:20

看你描述的，只有初级，没写输入电流多少，四对，应能做800瓦，但不等于直接带800Ｗ！同时供电供电一定要稳定，12Ｖ输入可能经过电流线型到驱动上可能只有10Ｖ　。第二我觉得ＥＣ40做4+4吧，频率再降，还有驱动的死区多少，是不是尖锋过高呢？因为是空载，有可能是击穿。3205好景55Ｖ　，还有不宜直接带灯，因为灯有冷态电阻低，极容易过载，。串电容带灯明显有帮助。

elecqht

LV.2

2016-11-07 18:34

@ss50495134

用示波器看了确实是尖峰过高烧的MOS，而且通电时间越久尖峰越高，请问这是因为漏感太大的原因吗？如果说是漏感大，前级匝数应该改少才对啊。有什么办法可以改善尖峰的问题呢？

guang卢

2016-11-07 18:49

贴图瞧瞧！！

elecqht

LV.2

2016-11-07 18:51

@ss50495134

之前怀疑过是变压器的工艺问题，也更换过变压器依然没有改善，另外，用40K前级频率的时候没尖峰，应该可以排除是变压器工艺问题，现在如何解决既降低前级频率又不会产生尖峰这个矛盾呢？

elecqht

LV.2

2016-11-07 19:02

@guang卢

贴图瞧瞧！！

类似于这样的，时间越久尖峰越高

guang卢

2016-11-07 19:35

@elecqht

[图片] 类似于这样的，时间越久尖峰越高

首先，你物料和功率匹配上面就不科学，4个3205顶800W余量暂且不说，一个EI40变压器顶800W甚至上千W，如果是现在流行的一般的推挽架构，玩笑有点大。第二个，降低频率管子导通时间边长，当然这样可以获得更大功率，只是容易造成磁芯饱和失去原有特性！然后各种问题。

elecqht

LV.2

2016-11-08 09:18

@guang卢

4个3205顶足量的800W确实够呛（我现在负载800W因为输出电压低，实际只有680W左右），手上还有4004、4504这样强劲的MOS，做高功率在MOS方面应该是没问题的。另外我用的是2个EI40变压器，一个EI40顶800W打死也做不到啊（12V输入）。现在的问题倒不是因为带高功率负载才导致尖峰的，而是我为了想带更高的负载采取降频率的方式，结果降频率后空载也会有尖峰。如果说是磁饱和了，是不是只能换磁芯或者维持之前的频率？