abcd8：
楼主，给你个参考意见，仅供参考。我觉得是MOS管开关损耗引起的发热，并不是导通损耗。根据你提供的波形来看，其中开通损耗比关断损耗要大。1、先从MOS管的驱动波形来看，开通上升沿波形出现震荡，这个震荡会增加MOS管的开通损耗，所以可以优化电路参数来减小或者避免这个震荡。通常的做法，增大MOS管驱动电路的驱动能力或者减小栅极限流电阻阻值；缩短栅极驱动走线，优化走线路径。2、MOS管的关断下降沿波形也出现了明显的震荡，这个震荡同样会增大MOS管的损耗，常见的就是MOS管VDS电压出现尖峰，需要优化MOS管关断电路。通常的做法，在MOS管的G、S之间反接一个PNP三极管，加快MOS管的关断时间；单三极管的放电路径要尽量的短，最好将三极管放在MOS管的旁边。