呵呵，可控硅涉及隔离（加光耦）的问题，最主要是大电流时可控硅散热，还有过电流冲击的问题，可控硅肯定是不可以。

最终解决方案： 同厂家进行确认，使其同一种型号的继电器吸合时间偏差尽量保持在一个小的误差范围内，并且知道大体的吸合时间，依据这个时间和过零检测电路，通过MCU控制吸合时间，使继电器尽量在过零点范围内吸合，这样可使继电器触点电流保持在很小的范围内。  

不错！！！！！！

很好的资料，谢谢！

请发我一份资料,非常感谢!wjf1010@163.com

一句话:太感谢了!!!