其实还有「第零代」，可控硅是也，可控硅只能做开关，但似乎注定跟软开关无缘。

既然要把结电容抽个精光，那么，关断时的零电压环境（暂时钳位）须有保证，且反偏要很给力才行吧？

这写法确是有点蒙人，30A是管子的载流能力极限，而30ns是完全关断所需时间，由0至30A都一样，不能跟那个「转换速率」混淆。

死区的意义，是保障电源与开关管的安全，不管开关是不是理想开关，死区都是省不得的，储能是个渐变的过程，能量的调拨流转需要时间，开关谐振利用电感电容成就软开关功能，故须设置死区才可解除供电电源的牵制。

电感感抗不可能无穷大，管子串联电感开通不会真正零电流，因开关管有残余压降，单纯並联电容（而且其值不能大）不能零电压关断。

软开关可分为负载换相与开关谐振两大类，负载换相是负载本身或其耦合网络为开关管「鸣锣开道」，开关本身还是硬通断，开关谐振是让谐振元件分担开关管最吃力的工序，亦就是通与断这两个暂态动作，让管子只需负责导与堵这两个稳态。

谐振元件只在开关瞬间参与运作，所以，准谐振是一种开关谐振而不是负载换向。

衰减震荡的一个特例

第五代是全谐振，四零俱到位，而且由于是桥类拓扑，无功易于往电源返还（順道为磁芯复位提供方便），但如果需要稳定的电源输入，那就有违稳压的初衷，只能做调压了吧，另外，既然谐振能取代吸收与保护，那么，EMI呢，能不能在主电路内把EMI也一併摆平呢，第六代所针对的会不会是这点呢？

电压模式必须以Vout波动为代价，电流模式是量出为入，拉多少吃多少，随着负载的变化，电流与电压的平衡关系会随之更新，改变三角波的幅度或基线可以做到改变参考电流而Vout甭变的效果，不过，在稳压系统中，电流环的性质跟共集极电路人自举类似，也是一种具有正反馈样效应的机制，如果再加上占空比大于0.5且不加补偿，就会不稳定了。