MOS管击穿一般是因为端电压太高所致，刚才算了一下，你这个反激的拓扑，MOS两端承受的最高电压应该是1.414*Vin+Vor+变压器初级漏感产生的电压尖峰，大概的值应该是1.414*220+60*20/34+50=463V，应该是没问题的，你可以试试输入电压从低至高慢慢调上去观察Vds两端波形，再看看是不是RCD吸收电路有问题没有吸收初级的漏感。

传导1M以内大部分是差模干扰，可以试着更改一下整流桥之前的X安规电容容量大小，或者差模电感的感量大小，实际上变压器内也是可以的，如果在不影响驱动工作的前提下，在变压器最里层或者是变压器初次级之间增加一层屏蔽，可将传导波形的振幅减小。CDN30M好像也是压线了，这里可以增大MOS管的驱动电阻或者在MOS管的D脚与变压器的初级之间增加一个贴片磁珠。会有效果。

这个是次级吸收，吸收输出整流端肖特基二极管的尖峰电压的一个小电路结构。

功率这么小，应该是反激，但是你这只有变压器的资料，没有原理图，挂角都不知道哪个是高压端，哪个是低压端，根本没法判断的。

电流波形曲线弯曲，向内弯曲表示磁芯饱和

啥都没有 怎么帮你解决。。

我之前也碰到过这样的问题，你可以试试等比例放大分压比电阻，我做60W600mA时就是用这个办法把调整率调好的。