温度要求到不高，±1°即可；关键是对电源部分的影响要小，也即加热产生的纹波要越小越好！

 谢谢版主回复！下午做了实验，在采用PWM做DA这种方式后，纹波确有减小（以前我PWM占空比有开到100%，实际还是当开关用），但是有几个问题，还请版主解惑：1、这种方法的问题之一就是，在线性区内，MOS的电阻范围很大，如过MOS电阻过大，已经比加热大了很多，这样加热效率太低，此时纹波最小；如过MOS内阻小，加热效率高，但纹波又变大了，和把MOS当开关用没有太大区别；2、MOS的Vgs门限是一个范围，个体差异的原因，同样的Vgs，可能有的已经处于开关状态了，有的还在线性状态；保守的做法就是让PWM占空比都小一点，但是这样就同样出现加热效率的问题；我使用的2N7002K的Vgs门限范围是1.0~2.3V；但PWM经过DA后使Vgs=2.08V时，MOS的电阻约为148欧；当Vgs=1.9V，MOS的电阻约为1950欧，这个变化太大了。 这种方法我跟实用性不大，对MOS有很高的要求。 我现在比较疑惑的是电压跌落的本质原因是什么？只有找到了本质原因，才能彻底解决问题，还请版主指点，非常感谢！

谢谢版主回复，这个方法试过，在1K的后面并了0.01uf电容，当时想的是为了MOS开关变缓一点。也尝试过让16.8V经过一个开关电源电路变成可变的线性电压输出后接加热电阻，让电流缓慢变化。但是有个问题，加热电路是做恒温用（抱歉前面未说明），温度低于40°加热，超过40°加热停止，还是存在流过电阻电流不连续的情况，本质上还是要解决加热开启时电压跌落的问题。

谢谢回复，测量时我是测试的C52两端，220uf的电解电容也是并在C52两端。从你的建议中，我想可以考虑在加热附近做一个DC-DC，将16.8V转成如12V之类的电压加热，这样DC-DC或许能快速跟上负载的变化，跌落或许会小一点，后面可以做实验测试下。现在的主要疑问是：为什么加了这么大的电容（离加热部分很近），加热所需的电流这么小的情况下会有如此大的跌落?我能想到的是电容的ESR会有影响，但如果是ESR影响，我并了2个220uf电容又无明显改善，解释不通，还希望各位电源高手解惑。

非常感谢各位；这里一并回复。to“小巩”电阻是0.5W的电阻，1210封装；还是体积等原因的限制，这里要超功率使用才会达到比较好的效果。to“yaojinc1962”，电源部分都是自己设计的，这个模块离主电源有1.2m的距离，不能使用特别粗的线，机器要运动，太硬太粗的线与结构有一定的冲突。to版主：下面就是准备换掉大陶瓷电容，但是板子上不可避免的会使用各种小的陶瓷电容，同样也会振动。 

嗯，是带了负载测试的；台阶是正常的；只是有的时候没有这个台阶，这个时候可以看到下桥的S点就有负电压出现。图1和图2其实都是正常现象，我之前测试时忘了电机驱动的PWM占空比在不停的变这回事了[图片]，所以会出现不同的波形（图1和图2）；现在的问题是，上桥关闭，如果有台阶，下桥的G极是没有负脉冲的，这个负脉冲干扰到了地线，导致电机工作时对数字部分的干扰比较大，现在想的就是怎么把这个负脉冲干掉，但开关速度又不能太慢。上桥打开，如果有台阶，下桥G极也不会出现一个脉冲，好在这个脉冲基本在下桥的Vgs门限以下，当然能再小点则更好，因为现在开关速度仍然有点慢（因为系统控制要求死区越小越好，现在400ns已经很大了，如果不能把开关速度提上去，死区就不能小。现在选的这个驱动芯片的驱动能力也有点弱）

电机一直处于工作状态，有的桥路有这个负电压，有的没有