管子是耐压30V的P－Ch，应用在12V的电源中，耐压木有问题我觉得最大的可疑之处是C2940.C2941,相当于增加了管子的结电容，另外导通速度变慢！最终造成过热失效准确原因，要对坏品开帽分析

第一个，在测量LLC的MOS管的开关损耗时，电流为负时，管子导通，这时候产生的损耗算不算开关损耗？==================回答：当然要算啊，电流为负，无非是电流的流动方向不同，管子照样在产生损耗第二个，就是反激MOS管在DCM模式下，在MOS管启动时候产生震荡，在该震荡内产生的损耗算不算开关损耗=================回答：管子在导通瞬间产生的震荡现象，也会有导通损耗，因为这个期间，不但有电压信号，还有id流过，电压与电流重叠的区域，就是管子的损耗   

不客气的说，感觉lz的思维似乎有些混乱可能仅仅是知道Buck和Boost等名词吧什么是Buck电路？什么是Boost电路？什么又是Buck-Boost电路？以这个【比如市电输入，输出12V0.5A】案子，有必要纠结是【是选用Buck还是Buck-boost】吗？正面回答：1、Buck电路是DCDC降压2、Boost电路是DCDC升压3、Buck-Boost电路，即可升压也可降压这个【比如市电输入，输出12V0.5A】案子，前段是桥式整流等，后端就用DCDC降压即可，这样纹波，电磁干扰等指标更好。没有这个说法吧：【Buck的效率要比Buck-Boost高】

好帖！！！谢谢楼主！！！

谢谢关注！现在找不到原因,头疼。原理图是按照iwatt管网公布的。为什么低电压输入时，是正常的高电压输入时，就不工作了呢？

NMOS内部的多数载流子是电子，而PMOS是空穴。相对来说，电子的携带电荷的能力是空穴的2倍左右，即，在同样面积的芯片上，NMOS可承受的电流ID是PMOS的2倍，故，业界大量使用的NMOS。当然，不知道NMOS的制程是否优于PMOS，这点需要高人解答

D1~D4是可以要的，目的在于削弱纹波现在发现高压侧的管子发热厉害（Q1\Q2），建议把R14\R11的电阻值取小，由现在的20欧姆改为2.2欧姆试试

若是一上电的瞬间就烧MOS，一定是过压损坏！请重点检查：1、产线有否静电的问题，造成管子软损伤2、应用图纸要重点分析，抓取D-S波形看看，有否超标，尤其是纹波，排除选型不当的因素

G极串联的那个电阻，若是取值大了会造成管子处于米勒平台的时间延长，此时，管子内部有电流流过，损耗加大，故容易发热                新洁能FAE

1、静电手环要可靠接地    线长要经常巡查，防止员工喝水或去洗手间回到工位，遗忘佩戴；     防止静电手环另外一端与公共母线接触不良或磨损造成断线的危险 2、PCBA转运途中，要用静电袋包装。 3、干燥的冬季尤其是危险