赞，测试了一下，TL431稳压输出的电压波形确实受CL和Iload的影响比较大。直接去掉CL以后输出电压波形很稳定。

我已经离职啦，应该还没有售出，不过可以帮忙联系。

购买日期和当时的价格。[图片]

17年下半年买的，比较新。

稳压管确实没有高电压的。还有一个就是稳压管虽然稳压精度比较高，但是要求的Iz也相对比较大，这种情况下使用稳压管的话会增加功耗。其实还是要会回到TVS的稳压限流条件问题。

温度特性倒是没有测试过。数据手册上给的数据与温度相关的都是与功率相关的，如耗散功率和Ppp，在使用5uA电流情况下应该是不涉及的。但是后续确实需要测试确认一下。

通常是用稳压管，但是TVS也有用在稳压上的，我接触到的比较早的设计是英飞凌提出来的。参照下图反激式开关电源，D4使用的就是TVS管。[图片]

就2楼的拓扑结构讨论关于TVS管的稳压特性。从PV侧通过串联电阻+TVS管得到上管的栅极电压。那么此时TVS稳压条件是什么样子的呢？查询手册P4KE550的Ir=5uA。在选择串联电阻阻值时，是不是保证TVS管上的电流i＞Ir=5uA即可？保险起见，电流是不是可以选择Ir≥10*Ir=50uA?

奇妙大师。这个帖子放着好久了一直没有结题。后来尝试着研究了一下高电压输入情况下开关电源的功率损耗情况。经过测试对比发现，在高电压输入情况下，MOSFET的Coss参数影响非常大，可以说是影响高压输入情况下电源效率的主要影响因素。Pcoss=0.5*fs*Coss*Vds2  ， 很明显，Pcoss（开关损耗的一部分）在高压下的影响是不容小觑的，且输入电压越大，Pcoss对效率的影响越为明显。针对本帖原有的拓扑结构，上管MOSFET的应选用具有比较小的Coss的MOS。但鉴于高压mos的Coss都比较接近，可以通过2个稍低耐压的MOS通过串联的方式进行减小等效Coss。

前面的波形为Q1漏极波形[图片]