请教像这样的布线是怎么画出来的

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        磁芯存储的能量为E=0.5xBxHxVe，B为磁通密度，单位特斯拉(T),如果磁芯材料为PC40，则取B=0.16T，H为磁场强度，H=B/μ,μ为磁芯的磁导率PC40相对磁导率约为2300，Ve为磁芯的实效体积Ve=AexLe，Ae为磁芯实效截面积，Le为磁芯实效磁径        当磁芯开有气隙后，气隙也将会存储一部分能量E=0.5xBxHcxVe+0.5xBxHgxVg，Hc为磁芯的磁场强度，Hg为气隙处的磁场强度，如果不考虑气隙处的杂散效应，则磁芯和气隙通过的磁通量相同，并且气隙的截面积与磁芯截面积Ae相同，所以有E=0.5xBxAex(HcxLe+HgxLg),Lg为气隙宽度，HcxLe+HgxLg=NpxIp,N为初级绕组匝数，I为初级绕组峰值电流，整理得E=0.5xBxAexNxI        设Sw为磁芯的窗口面积，初级绕组只占这个窗口的一部分，这部分面积与窗口面积之比，称为窗口填充系数，用符号Kw表示，一般取0.2~0.4左右，所以E=0.5xBxAex(SwxKw/Sp)xIp,Sp为初级绕组截面积前面已经计算过，初级绕组的截面积为Sp=0.25xIprms=0.25mm2/AxIpx（Ton/3T)^0.5，设C=(Ton/3T)^0.5，则Sp=0.25xIpxC,得E=0.5xBxAex(SwxKw/(0.25xIpxC))xIp =2xBxAexSwxKw/C2xBxAexSwxKw/C=（Pi+Po）/F,且Pi=Po/η，整理得到        2xBxAexSwxKw/C=（1+1/η)xPo/F，        AP=AexSw=（1+1/η)xPoxCx10^6/(2x10^6xBxKwxF) =（1+1/0.8)x20x0.4x10^6/(2 x0.16x0.3x50000)=3750        根据AP值，初步选择EI28磁芯下表根据TDK磁芯手册计算出的数据   磁芯型号        Le(mm)         Ae(mm2)        Sw(mm2)        AP(mm4)  E112.5       21.3             14.4                16.32            235  EI16            34.6                19.8                38.76               767.45  EI19            39.6                24.0                54.36           1304.55  EI22            39.3                42.0                38.24              1606.24  EI25            47.0                41.0                77.19               3164.79 EI28            48.2                86.0            68.6                5899.6  EI30            58.0                 111               73.125           8116.875 EI33            67.5                 119               131.86           15691.64 EI35            67.1               101               132.31           13363.31 EI40            77.0               148               157.44           23301.12  EI50            94.0               230               241.31             55501.3 EI60         109                247               389.9                96157.1根据以上推导，得出E=0.5xBxAexNpxIpE=0.5xIp^2xLp0.5xBxAexNpxIp=0.5xIp^2xLp,整理得Np=(IpxLpx10^6)/(BxAe)=(1.05x964x10^-6x10^6)/(0.16x86)=73.56，取整Np=74匝次级绕组Ns1=Np/Nps1=74/15=4.93,取整Ns1=5匝辅助绕组Naux=Np/Npaux=74/6=12.33，取整Naux=13匝下面需要验证所选的磁芯是否可以绕下所有绕组，最简单的办法就是利用AutoCAD画出一个矩形，代表绕线的区域，尺寸参考所选磁芯的骨架，然后用圆代表绕组，因为初级有74匝，线径为0.3mm，所有初级要画出74个直径为0.3mm的圆，并紧密排列，然后将所有绕组画上，保证没有超出矩形边界，经过比较最后选择使用EI30磁芯重新计算初级绕组Np=(IpxLpx10^6)/(BxAe)=(1.05x964x10^-6x10^6)/(0.16x111)=56.99匝，取整得57匝次级绕组Ns1=Np/Nps1=57/15=4.93,取整Ns1=4匝辅助绕组Naux=Np/Npaux=57/6=9.5，取整Naux=10设Rm为磁芯的磁阻，当磁芯开有气隙后，总磁阻等于磁芯原有磁阻(不开气隙时)与气隙磁阻之和Rm=Rc+Rg  =le/(Aexucxu0)+lg(Aexu0),非铁磁材料磁导率近似真空磁导率  =(le/uc+lg)/(Aexu0)如果通过磨除磁芯获得气隙时，铁氧体磁芯的有效磁路将缩小至le-lg，所以最终Rm=((le-lg)/uc+lg)/(Aexu0)，根据磁动势NpxIp=BxAexRm,得NpxIp=BxAex((le-lg)/uc+lg)/(Aexu0),整理得出气隙长度lg=(NpxIpxu0xuc)/(Bx（uc-1)）-le/(uc-1），因为铁磁材料的相对磁导率远远大于1，所以可以将上式近似为lg=1000xNpxIpxu0/B-le/uc=1000x74x1.05x4xπx10^-7/0.16-48.2/2300=0.59mm如果只磨去EI30磁芯的中心柱，则可直接使用上式计算出的气隙长度，当磁芯的中心柱和支柱都开有气隙时Rm=Rc+2Rglg=500xNpxIpxu0/B-le/uc=0.59/2=0.295mm，匝为了保证初级和次级绕组Ns1每层都能绕满，将初级绕组匝数修正为60匝，初级绕组和辅助绕组线径为0.3，匝数不变，且将次级绕组Ns1更换为线径0.5的漆包线，采取9线并绕，如下图所示

现在比较纠结如何选磁芯尺寸，涉及到一个气隙问题，AP法适用吗

是的，不过我不知道输入滤波电容这个纹波应该取多少合适，如果太大了会发热，我也是刚刚接触这行，谢谢提醒[图片]

在当导体流过高频电流时，就会产生集肤效应，此时金属导线中大部分电流只从导线表层流过，所以要求漆包线的线径径不大于2倍集肤深度集肤深度公式   Δ=（（2xρ)/(2xπxfxμ)）^0.5  ρ:导体的电阻率，铜的电阻率ρ=1.75x10^-8x(1+0.00393t),t为漆包线温度  f :开关电源频率    例如本开关电源占空比约等于20%，所以需要考虑偶次谐波问题    μ:导体的磁导率，铜为非铁磁性材料，所以磁导率近似真空磁导率μ0=4xπx10^-7在20℃时，Δ=66.6/f^0.5(mm)在55℃时，Δ=70.39/f^0.5(mm)在65℃时，Δ=72.24/f^0.5(mm)在85℃时，Δ=73.45/f^0.5(mm)如果只考虑3次以内的谐波，且反激变压器温度为55℃集肤深度Δ=70.39/50000^0.5=0.31mm所以漆包线线径应不超过2x0.31=0.62mm，根据圆的面积公式可以推算出次级绕组需要多线并绕，这里选择次级绕组线径为0.60的漆包线，线径为0.45的漆包线的截面积为0.28mm2，所以次级需要6根线径0.6的漆包线并绕，其他绕组用线径为0.08的漆包线绕制

计算完各绕组的电流有效值后就可以确定漆包线的截面积，在老外写的书上圆形导线的截面积单位往往是圆密尔，cmil，1个圆密尔是直径为1密尔圆的面积，1密尔等于=1英寸/1000=0.0254mm,所以1cmil的面积=πx(0.0254/2)^2=5.07x10^-4mm2,假设每500圆密尔漆包线允许流过1安培的电流(有效值)，则电流密度为500x5.07x10^-4mm2/A=0.25mm2/A 初级绕组导线截面积Sp=0.25xIprms=0.0625mm2次级绕组导线截面积Ss=0.25xIsrms=1.655mm2辅助绕组导线截面积Saux=0.25xIauxrms=0.04mm2

在给电路中打算使用UC3842作为主控芯片，在网上找了很多资料，还是没有找到直接借鉴的元器件参数，所以下面很多参数是假设值，在最后调试时调整或者优化一下，同时也希望各位高手帮忙检查一下设计方法是否正确，下面进入辅助绕组的设计，辅助绕组主要功能就是给主控芯片供电和驱动开关管，假设使用E13003作为开关管，通过相应手册描述可知，E13003的电流放大倍数hFE为8-40，如果取最小值，即hFE=8，三极管的基极电流Ib=Ic/hFE=0.99/8=0.12A,为保证三极管可靠导通，取Ibpeak=2Ib=0.12x2=0.24A,三极管集电极在导通期间电流线性上升至Ippeak=0.99A,假设辅助供电电压为15V，三极管驱动功率为0.5xIbpeakxVauxxTon/T=0.37W，本电路主控芯片使用UC3842，这是一款比较典型的电流模式控制芯片，假如设UC3842的工作电流为30mA,工作电压为15VUC3842所消耗的功率为15Vx0.03A=0.45W辅助线绕需要提供的总功率为0.37W+0.45W=0.82W, 保留一定余量取1.2w，得辅助供电电流为0.8A,电压为15V根据前面导出的公式0.5xVdcmin^2xTon^2/L=PoxT/η可以计算出只有辅助绕组时初级电感Lpaux=0.5xηxVdcmin^2xTon^2/(PauxxT)=0.5x0.8x248^2x4.08^2/(1.2x20)=17063.67uH只考虑辅助绕组时的初级电流峰值Ipaux=VonminxTon/L=248x4.08/17063.67=0.06A最终初级电感Lp=VdcminxTon/(Ip+Ipaux)=248x4.08/(0.99+0.06)=963.66uH，取整得964uH最终初级峰值电流为1.05A,为了保留安全余量，设开关管标称电流为至少为初级峰值电流的1.5倍，即开关管标称电流至少为1.575A,E13003在脉冲状态下峰值电流最大为3A，所以这里选择E13003作为开关管，反激变压器初级电流波形为初始值为0的三角波，时间为Ton，根据三角波有效值公式Iprms=Ipeakx（Ton/(3xT))^0.5=0.99x（4.08/(3x20))^0.5= 0.25A，次级电流已经在上面计算过，等于14.85A,反激变压器恢复时间为0.8T-Ton，Isrms= Isx（（0.8T-Ton)/(3xT))^0.5=14.85x（11.92/(3x20))^0.5=6.62A，初级绕组与辅助绕组匝比Np/Naux=Vor/(Vaux+Vd)=85/(15+0.7)=5.41,向上取整得Np/Naux=6辅助绕组峰值电流Ipeakaux=IpauxxNp/Naux=0.06x6=0.36A辅助绕组电流有效值为Iauxrms= Ipeakauxx（（0.8T-Ton)/(3xT))^0.5=0.36x（11.92/(3x20))^0.5=0.16A

我这也是现学现卖

根据电感方程VL=Lxdi/dt得出i=VLxt/L,反激变压器初级电流线性上升，当t等于Ton时电流最大，而初级两端电压等于直流供电电压Vdc，所以可得出Ippeak=VdcminxTonmax/Lp=249x4.08/1024=0.99A,Ippeak为初级峰值电流根据安匝相等原则，NpxIp=NsxIs，整理得，次级峰值电流Ispeak=IpxNp/Ns=0.99x15=14.85A