是带着防逆流的并网逆变器，根据ct（互感器）获得的用电状态自动补偿，一般市电还要提供几瓦的功率（逆变功率略小于用电功率）。我这个用了很多年了，大牌子很多。这种伪并网的不能全部利用光伏，但是可以保证不申请并网却不对电网造成干扰。只要符合要求的，对电网的干扰不可察觉，电力系统察觉不出来，也无所谓许可问题了。

四硅rc是一阶电路好理解，单双硅的RLC的原理其实还真的没几个人搞清楚，所以对临界的计算这个群还是处于中专电子水平。二阶其次方程那个共轭根的求解很是头疼。四硅机是可控硅后级里头最简单原理的，无感桥四硅仅仅用一阶积分就可以求解。但是单双硅的看着电路零件简单，其实求解复杂，是因为二阶电路求那个解实在麻烦，所以单硅机的关断电感都不说具体多少uh，只是按照行外人说的绕多少匝，因为没人认真去计算求解。处于过阻尼的一定能保证单双硅关断，但是欠阻尼和无阻尼的情况就复杂了

这问题还有疑问的人一定是电工电子基础没有的。所有电子工程，要列出的函数要么是kcl，要么是kvl，其实就是初中的串并联，不够高中毕业后加入了微积分。如果四硅是没电感的，那是一个RC一阶电路，kvl定律推导下是可以强制关断。如果是串联了电感，那就要看看电感和电阻的管子，当R=2√(L/C)这个是临界，当大于的时候是过阻尼，结果和RC一样，不只是加快截止，当小于的时候是欠阻尼，等于的时候是临界状态。串联的电感其中也是可以的，不过要和工作频率挂钩否则起到反作用。RLC可是二阶电路，解决齐次方程的话二本以下的学生可就为难了。工程是靠数学，可以用数学将时域频率转换来分析，理解不了的，一定是数学缺乏了，才导致抽象能力不足，那只能借助示波器这种直观的工具来完成任务

对了南韩和浙大的电子研究生论文2008年有好几篇类似的，可以参考。关键词串联谐振，SRC，CCPS,QC,准谐振

这是副边SRC串联谐振变换器三个单词缩写。变压器不可避免副边存在漏感Lk，那么这个漏感会妨碍功率的增大，限制变压器的最大功率，还带来问题（折合到原边弥勒振铃），如果变压器存在那副边的阻抗z=R+jwl ，是个复抗，实际阻抗大于纯电阻R、如果这个时候串入一个电容，则复阻抗为z=R+jwl-jwc 当串联谐振的时候，负数部分的容抗和感抗绝对值相等，大小相反的2个矢量，达到完全抵消的效果。这时候漏感似乎不存在了。因为谐振的关系，可以达到zvc的某个条件，示波器可以看到在原边开关交替的时候处于零电流切换或者零电压切换。降低了mos管存在的弥勒电容影响。

订正一下，不好意思，算的时候丢失了2系数。RLC在欠阻尼下震荡电容的电压是1-2倍充电电压。临界电阻是2√L/C sorry，经常失算

可控硅比其他bjt管子更狠，尾流存在就不关断。所以可控硅后级要想关断，必须有可控硅关停的条件，维持电流为零，或者负压。这样可控硅如果从电流角度考虑一定是有过零这一说，桥四硅利用开通的换向电容组成的KVL环路实现逼停另外一个桥臂，达到强制关断的目的。单双硅利用电感一次谐振，换向电容反向，然后利用LC震荡最大电流，吸收了流过可控硅的电流，使之0电流自然关断。可控硅是个天然的zvs，zcs电路，所以可控硅皮实耐操发热还不算高

晕，你结论第一个就错了。四硅机理论最简单，直接就是一个RC的二阶放电电路，关断原理也很简单。单硅机是RLC串联谐振电路，是个二阶电路，解偏微分方程估计没有大专的数学搞不定。所以单硅直通和关断那些人基本搞不清楚，电路是简单，原理单硅可复杂了。其实单硅展开就是某种双硅了。单硅的直通电阻临界值是串联谐振Q值=1的临界状态，低于这个的就会直通。Q=1=（√L/C）/R，一个kcl节点展开了就是一个RLC串联谐振求Q值问题。其实应该先出现的是双硅，大部分的双硅是单硅的分解，桥四硅是某种串双硅的变种。是一种最简答的一阶电路。比单硅少了直通这个问题（理想元件下桥四硅不存在直通的问题）

四硅机的输出功率是典型的RC放电。如果就水的负载电阻发生变换。不影响其输出功率。当水的负载电阻变小的时候，输出的有效电流Irms变大（平均电流不变），有效电压Urms变小。整体输出功率不变。根据电容电路的安秒平衡，输出的功率等于等于2*V*V*F*C，已经和负载电阻R没半毛关系了，是一个绝妙的电路。要是不信，仿真计算下，要是数学可以，直接积分计算下结果还是那样。所以四硅机的输出功率和那个换向电容等比，和频率等比，和电压平方等比，与负载电阻无关

mos管ds可以反着来用发帖人不想让人说话就是基础看的懂自然懂。