一个知识普及：
单硅的原理：
1，触发：后级触发电容充电（关断电容也没歇菜也在充电，为他的工作开始铺垫），触发电容两端电压开始上升，到30V左右（DB3的导通阈值），DB3导通，可控硅控制极得到触发电流，可控硅导通。
2，失触：由于DB3对可控硅的放电，触发电容端电压迅速下降，直到低于DB3截止阈值，DB3截止，可控硅失去触发电流，但可控硅一旦触发，不可自行逆转，仍然傻瓜一样导通，除非电流过零。，使可控硅过零只有2个方案：1，掉电，就是断开可控硅，2，给可控硅施加1个相反方向的电流。
3，关断：触发电容充电同时，关断电容也在充电，可控硅一旦导通，相当于使LC关断电路短路，关断电容正程对电感放电，在电感两端产生一个逆程电流，既然叫“逆程”电流，说明此时在LC回路中流过的电流和充电电流是相反方向的，这个反向电流最终反向施加到可控硅，强行对冲可控硅流过的电流，使电流过零，粗暴而强制的截止可控硅。
LC串联的所谓关断电路，在别的应用中叫：“移相” “倒相”电路，顾名思义：就是这玩意可以让电流反向。比如：单向电动机，副饶组和电容串联就是起到移相作用，风扇，洗衣机才会转起来嘛！
主题思想：
单硅有个毛病，效率低了点，为什么？就怪LC关断电路！他消耗了很多的能源，他要充电的啊？他要放电的哦，放出去的电又没有去到网抄，只是施加到可控硅使那SB关断而已！一个方向性的建议：宁可电感大点，电容小点，这样效率高点，电容容量越大，需要的充电电流越大，导致JJ的消耗越大，做的无用功更多，保证脉宽和可靠关断前提下，建议你最好配1UF的电容+5MH的电感，而不是5UF的电容+1MH的电感，当然：这是个方向性的指导，这些数字不能当真，总之，为了效率，宁可L大C小，不为L小C大。
不过也难怪 中国贪官太多啦 上至中央 下至基层村干部