产品做的很漂亮！

我们亿微半导体专门做进口品牌MOSFET替代，有需求可以联系！

这是一个死命题，平面MOS和Coolmos的差异就在这里，同等面积大小的晶圆：PlannerMOS拥有较大的CISS和EAS能力，但是内阻会偏大，好处是EMC效果好，抗冲击能力强，缺点就是导通损耗过高，产品效率低；Coolmos可以拥有较小Rdson和Ciss，优点是导通损耗和开关损耗都会变小，效率较高，但就是由于Ciss变小，使dv/dt和di/dt加大，导致产品EMC难过，尤其是对辐射影响较大，所以这个在设计之初就要做考量和平衡。

是不是由于MOS本身结电容还有电荷需要释放才导致无法直接关断。

MOSFET受硅材料本身特性限制，单管做到1200V已经是极限，若需求1500V以上只能选择碳化硅，或者两个硅管串联。

锐骏的这个RU6199Q应该是60V耐压的，并且据我了解这个型号是Trench工艺的，本身就不适合做同步整流使用，24V输出最好要选100V以上耐压的管子做同步。

作为LLC电路MOSFET的更换需要注意一下事项：1、Rdson：影响导通损耗，需要与原管接近，建议选用国产的要小于进口器件。2、Vds：影响MOSFET耐压值，与原管相当即可。3、Ciss：不同品牌的产品CISS一定不同，更换品牌后需要调整驱动电路以适应新品牌的应用，同时要确保EMC效果。4、Trr：该参数在LLC电路比较重要，会影响死区时间，需要与原管相当。总之，进口品牌更换国产后一般都需要调整周边驱动电路以作适应，希望能够帮到你。