3.3V原2.76T选3T。5V的4T不变。3.3V的肖特基二极管，改为超快恢复二极管。注意压降在0.85V以下。这样就相对精确地获得输出电压了。这里利用了超快恢复二极管正向压降比肖特基二极管大0.4V左右的特点。

大侠你说的是升压H桥MOSFETD-S之间的电压和电流吗？

0.28*24V就有6.72W，这是初级电感上的无功功率，不会发热。倒是0.28x0.28x10=0.784W,采样电阻上的损耗直接变成热，要计算损耗。

次级波形应该占满半个周期，才算准谐振频率到位。你这个差远了。加大10倍谐振容量试一试。

PQ磁芯截面是圆形，因此比EE的方形节省11%铜，铜损也降低了11%。

楼主，非常感谢分享。小板的原理图和整机的layout也想分享一下，正在学习中，万分感谢！ tshc_frank@163.com

楼主高明！我一开始想做3500W的现在也打算升到6000W。我有2个问题：1.3个50非晶变压器和EE65双磁芯铁氧体变压器哪一个经济划算？2.楼主效率有没有达到98%@6000W?

全桥的优点多了去。1.MOSFET耐压降低。目前100V以下的MOSFET型号多如繁星，Rdson普遍在2mR左右，比高压MOSFET内阻低2/3,电流普遍150安以上，双管达到300安,价格5元左右亲民，双管全桥才用8个，成本40多元，输出就能3000W简直爽歪歪。而且抗过载电流余量超级大。一句话好用又便宜。2.变压器进一步优化，内阻更低。3.电路简化，省掉了启动保护的预充电电路，进一步降低了成本。

很感兴趣。电邮tshc_frank@163.com

唉，80W，成本限制了。不能用高级电路。来个方波的电路吧。