主要特点
内置2ms 软启动以降低功率管开机尖
峰电流
采用轻载降频设计,以提高效率和降低
待机功耗
采用频率抖动以达到更好的EMI 性能
SENCE 峰值电流检测输入端内置前沿
消隐功能
无音频噪声工作模式
固定工作频率:100KHz
内置斜坡补偿
低的启动电流和工作电流
欠压锁定保护(UVLO)
过载保护(OLP)
过温保护(OTP)
过压保护(OVP)
具有动态峰值限定功能,在全电压输入
范围内获得比较一致的最大输出功率
保护解除后自动恢复功能
3000V ESD
内置600V MOSFET
高压BiCMOS工艺
DIP-8L绿色封装
概述
CR5445 是内置高压功率MOSFET 的电
流模反激PWM 控制芯片,适用于18W 以内
的离线式反激开关电源,具有高性能、低待机
功耗、低成本的优点。
为了保证芯片正常工作,CR5445 针对各
种故障设计了一系列完善的具有自动恢复功
能的保护措施,包括软启动、过温保护(OTP)、
VDD 欠压锁定保护(UVLO)、过压保护(OVP)
及箝位、逐周期电流限制(OCP)、过载保护
(OLP)和图腾柱输出驱动高箝位等,特别对
音频噪声和FM 干扰进行了处理。芯片内置的
频率抖动和图腾柱栅极软驱动技术可容易地
获得良好的EMI 性能.
较高的工作频率可以有效的减小整机的体积大小,满足了客户的小要求。
需要样品和详细资料,请直接联系本人, 13808078660.QQ:364620860.