启动电路发热严重怎么回事？

量一下Q1的VGS

你看下驱动有没有关断不就知道了吗／

第一，要用示波器测G电压，不能用万用表测。

第二，MOSFET击穿的可能性也是有的。

第三，R1电阻太小，应该取100k

我用L6563+L6599，也是用的这样的启动电路，也是同样的问题，烧启动电阻，一直没有找到问题，

谢谢大家的回复，原因找到了。呵呵

是因为选的MOS管耐压偏低，MOS体二极管导通了，所以启动后MOS没有完全关断造成

 的。

没有理解，能请楼主详细说说是怎么耐压不够呢？

我估计不是体二级管导通，是GS极就击穿了。

推测楼主换了个耐压更高的MOSFET管，耐压更高同时VGS耐压也可能高了一些，干好解决了这个问题。但没有彻底断根，如果C2电容用久了变小了，MOSFET的S极电压抬得更高的时候可能又会发生击穿的情况。

如果是体二极管击穿，那就是400V灌到电容上了，这样楼主早都发现12V电压不正常了。

你好，我也是遇到同样的问题，产品在老化的过种中烧启动电阻，每做一批都会有8%的不良率，一直还没有找到真正的原因，我的MOS跟楼主的不一样，我的MOS用的是ST的2N60，同部结构是这样的， 会不会也是MOS的问题，怎么GS之间还有2个稳压管？

请教？

刚开始用的是一个200V的Mos管，现在换了一个600V 1A的MOS。现在看还没出现过问题。