1 MOS的几个基本参数，VDS（DS间的耐压） VGH（MOS管开启电压）
2 作为电源的MOS，选型时候首先看VDS 与IDS，如果规格书给出的VDS 与IDS 有任何一项在你的使用方式以下，那就绝对不能用。
3 用你实际使用的平均电流与实际MOS管的RDSON，算出产热，根据热阻，判断你需要的MOS管封装，选型MOS。
切记，对于不同的VGH，MOS会产生不同的RDSON，个人认为，如果IC驱动MOS的能力不够，更换大MOS与选择OP来增大MOS的驱动能力，也许后者性价比更高，我一直有这个想法，但是从来没有试过，哪位兄弟试试看，是否有改善。
4 MOS损坏的原因有大电压击穿，或者大电流产热，在RDSON不变的情况下，I2R产生热，此热完全降落在MOS内，根据MOS管的热阻，如果产生的热过大，将使MOS管温度过高，从而进入正反馈，温度越高RDSON越大，导致最终烧坏。
5 在一些高压MOS中，如PFC线路，常出现MOS烧毁，就是因为MOS的VGH没有完全启动，MOS在线性区，导致MOS有过大的RDS。
温度测试是王道。适当降低额度也是王道。
