根据公式算出变压器的匝比,但是输出没有得到想要的结果(15V和24V),望指教。附上仿真原理图。
fanji
我之前在基准对地没有电阻的时候也仿过,是可行的,我觉得只要给反馈电压就行了,没必要有对地电阻,那时候输入比较低只有36伏,我昨天把里面的mosfet换成了IGBT,可以了,但是不知道为什么会这样。
已改好,见附件。
1、换了个MOSFET模型,并增加GS端电阻;
2、请仿真足够长时间,比如100ms。
谢谢,刚刚又仿真了一下,确实可以了,之前也试过换成IGBT,也可以,看来还是开关管模型的问题,不知道是什么原因。
还有关于在MOSFET的GS端并联一个电阻,不知道有什么作用。我知道的只是减小MOSFET在静电环境下的损坏,还有在网上看了一种解释,是关于在还没有加驱动电压的情况下,防止电压通过Cgd向Cgs充电,导致DS极导通,烧坏管子,不知道这样解释对不对?
这位老师,连着上次和你讨论的话题,我之后又在变压器的原边加上了吸收电路,待会我会附上仿真原理图,吸收电路的参数计算我是参考了一篇文章的,待会也会附上,问题是加上了吸收电路后,原理图报错了,如图:
下面附上仿真原理图fanji
吸收电路参数计算:RCD设计
问一下,一般的要模仿TR,那个页面怎么设置