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基于UC3842的反激变换器

根据公式算出变压器的匝比,但是输出没有得到想要的结果(15V和24V),望指教。附上仿真原理图。

fanji 

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2013-03-22 19:58
431的基准对地没有电阻啊
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mj_2426
LV.3
3
2013-03-23 09:47
@漩涡浩子
431的基准对地没有电阻啊

我之前在基准对地没有电阻的时候也仿过,是可行的,我觉得只要给反馈电压就行了,没必要有对地电阻,那时候输入比较低只有36伏,我昨天把里面的mosfet换成了IGBT,可以了,但是不知道为什么会这样。

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2013-03-23 10:54

已改好,见附件。

1、换了个MOSFET模型,并增加GS端电阻;

2、请仿真足够长时间,比如100ms。

fanji 

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mj_2426
LV.3
5
2013-03-23 13:53
@新月GG
已改好,见附件。1、换了个MOSFET模型,并增加GS端电阻;2、请仿真足够长时间,比如100ms。[图片]fanji 

谢谢,刚刚又仿真了一下,确实可以了,之前也试过换成IGBT,也可以,看来还是开关管模型的问题,不知道是什么原因。

还有关于在MOSFET的GS端并联一个电阻,不知道有什么作用。我知道的只是减小MOSFET在静电环境下的损坏,还有在网上看了一种解释,是关于在还没有加驱动电压的情况下,防止电压通过Cgd向Cgs充电,导致DS极导通,烧坏管子,不知道这样解释对不对?

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zhenxiang
LV.10
6
2013-03-23 18:24
@mj_2426
谢谢,刚刚又仿真了一下,确实可以了,之前也试过换成IGBT,也可以,看来还是开关管模型的问题,不知道是什么原因。还有关于在MOSFET的GS端并联一个电阻,不知道有什么作用。我知道的只是减小MOSFET在静电环境下的损坏,还有在网上看了一种解释,是关于在还没有加驱动电压的情况下,防止电压通过Cgd向Cgs充电,导致DS极导通,烧坏管子,不知道这样解释对不对?
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2013-03-25 08:55
@zhenxiang
+1
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mj_2426
LV.3
8
2013-03-31 12:59
@新月GG
已改好,见附件。1、换了个MOSFET模型,并增加GS端电阻;2、请仿真足够长时间,比如100ms。[图片]fanji 

这位老师,连着上次和你讨论的话题,我之后又在变压器的原边加上了吸收电路,待会我会附上仿真原理图,吸收电路的参数计算我是参考了一篇文章的,待会也会附上,问题是加上了吸收电路后,原理图报错了,如图: 

下面附上仿真原理图fanji 

吸收电路参数计算:RCD设计 

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x16558
LV.2
9
2013-04-11 10:43
@新月GG
已改好,见附件。1、换了个MOSFET模型,并增加GS端电阻;2、请仿真足够长时间,比如100ms。[图片]fanji 

问一下,一般的要模仿TR,那个页面怎么设置

 

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x16558
LV.2
10
2013-04-11 11:22
@新月GG
已改好,见附件。1、换了个MOSFET模型,并增加GS端电阻;2、请仿真足够长时间,比如100ms。[图片]fanji 
模仿好了怎么看是哪个是哪个的波形
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mj_2426
LV.3
11
2013-04-13 11:39
@新月GG
已改好,见附件。1、换了个MOSFET模型,并增加GS端电阻;2、请仿真足够长时间,比如100ms。[图片]fanji 
fanji88 仿真出了点小问题,能否帮忙看看。其中开关管就用ixsh35n120a的,仿真的时候报错,非线性太多,谢谢。
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