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Ids有一个很大的尖峰

一个电源,同时输出3.3V/550mA,12V/150mA,48V/350mA(独立绕组). 工作时Ids有一个很大的尖峰,并且在满载情况下,90VAC比240VAC输入时 3.3V输出汶波大. 据说Ids与二次侧的反向时间有关,(现48V的整流管反向时间MAX<35ns,其它二路为schottky),还与MOS和变压器的分布电容有关,但不知要如何调整,请大家帮忙.500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='这是一张缩略图,点击可放大。\n按住CTRL,滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/47/1162363267.jpg?x-oss-process=image/watermark,g_center,image_YXJ0aWNsZS9wdWJsaWMvd2F0ZXJtYXJrLnBuZz94LW9zcy1wcm9jZXNzPWltYWdlL3Jlc2l6ZSxQXzQwCg,t_20');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">
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huang8020
LV.2
2
2006-11-02 10:52
请大家看一下我的分析:
这个Ids的Spike可能由三部分有关.
1) 工作在CCM时,由于受二次整流管Trr的影响,二次侧也有一个电流spike引起Ids的spike. 但本例中即使工作在DCM,Ids spike并未减小,因此与整流管Trr无关.
2) 与MOS和变压器的分布电容有关,在MOS ON时分布电容放电所造成,但不知如何测量分布电容的大小,以及如何避免,
3) 与PWM的Drive电流有关,我用的是PI 的TOP245Y.不知是否TOP245就是这个"味".
4) 与测量方式有关, 在测量电流时,将PWM的D脚悬空,再引一段5cm的线接到PCB板上,用电流棒测量.这样测量是否正确.

肯请大家帮忙.谢谢!!
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葉孤城
LV.4
3
2006-11-02 11:04
是由於MOS的結電容引起的,硬開關都會有此問題,也造成辦輻射.
軟開關會小很多.
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morning
LV.7
4
2006-11-02 12:02
@huang8020
请大家看一下我的分析:这个Ids的Spike可能由三部分有关.1)工作在CCM时,由于受二次整流管Trr的影响,二次侧也有一个电流spike引起Ids的spike.但本例中即使工作在DCM,Idsspike并未减小,因此与整流管Trr无关.2)与MOS和变压器的分布电容有关,在MOSON时分布电容放电所造成,但不知如何测量分布电容的大小,以及如何避免,3)与PWM的Drive电流有关,我用的是PI的TOP245Y.不知是否TOP245就是这个"味".4)与测量方式有关,在测量电流时,将PWM的D脚悬空,再引一段5cm的线接到PCB板上,用电流棒测量.这样测量是否正确.肯请大家帮忙.谢谢!!
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morning
LV.7
5
2006-11-02 12:07
@葉孤城
是由於MOS的結電容引起的,硬開關都會有此問題,也造成辦輻射.軟開關會小很多.
同意楼上,是Vds电容放电引起.一般IC都会有前沿消隐(LEB)时间的.正常情况下不会造成误动作
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huang8020
LV.2
6
2006-11-02 12:48
@葉孤城
是由於MOS的結電容引起的,硬開關都會有此問題,也造成辦輻射.軟開關會小很多.
如果是由MOS的结电容产生,那不是所有用到TOP245Y的电源都有这个问题, 关于硬关断与软关断也应该由IC本身所决定,这样该如果去抑制呢?
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