应该是Puzzler

如果是由MOS的结电容产生,那不是所有用到TOP245Y的电源都有这个问题,关于硬关断与软关断也应该由IC本身所决定,这样该如果去抑制呢?

请大家看一下我的分析:这个Ids的Spike可能由三部分有关.1)工作在CCM时,由于受二次整流管Trr的影响,二次侧也有一个电流spike引起Ids的spike.但本例中即使工作在DCM,Idsspike并未减小,因此与整流管Trr无关.2)与MOS和变压器的分布电容有关,在MOSON时分布电容放电所造成,但不知如何测量分布电容的大小,以及如何避免,3)与PWM的Drive电流有关,我用的是PI的TOP245Y.不知是否TOP245就是这个"味".4)与测量方式有关,在测量电流时,将PWM的D脚悬空,再引一段5cm的线接到PCB板上,用电流棒测量.这样测量是否正确.肯请大家帮忙.谢谢!!

大概有所了解,谢谢你耐心讲解,

计算每个元件是没有必要,但对于TNY266与变压器的消耗计算能否赐教!!谢谢!  另请教你们上海地区现在是由哪个代理商在做.

路由器一般由1)电源部分(DC-DC)2)处理单元(CPU+SDRAM+Flash)3)I/0部分(SwitchIC,Wirelessmoudle)

初次级不仅有耐压要求,还有Clearnce和creepage的要求,一般要6mm(及两侧各为3mm).骨架小的话,可以用三重绝缘线试试

多谢了,这样看来UU10.5会绕不下了.请问能否提供电流与线径对应关系的资料可以参考.

OK,先做一个试试,如有问题再请教.

但是通常的电源输出都是共用一下地的,隔离输出的话就有两个参考地了,这样会不会有什么需要注意的.