请各位分析一下这个电路

自举驱动
自举驱动

不太明白
不太明白,各位请将向西点.

是用MOS代替整流桥的全波整流电路
MOS是倒过来用的(S在前,D在后),正脉冲来时,MOS的体二极管导通,同时驱动电路(15伏)加在MOS的G端,把该二极管短路.此电路为同步整流的一种方式,主要是降低功耗.

不是吧?
好像不是吧,mosfet的体二极管是用来续流的.虽然我也不太明白续流是怎么一回事.

续流?麻烦把电路发完整!
请!

明白一些了
MOSFET从断到通,源极电位大幅度变化,而栅源之间电压并没有受到特别大的影响.其原因就是驱动电路能够在D1和C1的作用下自动提高栅极电压使栅源电压得以维持.这种现象常被称为“自举”.
是否直流15V电压加电容耦合过来的电压之和驱动栅极
但15V电压低于耦合电压,d1还能导通马 ????

please look it clear!!!
it is dc to ac inverter circuit. the upper circuit
is for driven MOSFET better performance. It is call bootstrap.

这是一个dc-ac逆变电路
控制信号为pwm信号,驱动四个mosfet交替开关,产生交流电压.处于死区时,体二极管续流,不知对否?

bootstrap是什么意思?
bootstrap是什么意思?

這就為自舉電路
可不可以看一看整個腺路

看不懂
.

自举升压驱动
该电路为自举升压驱动电路,不过图中所用dd1的4148耐压太低.

请问dd1还能导通吗?
是否直流15V电压加电容耦合过来的电压之和驱动栅极?
但15V电压低于耦合电压,dd1还能导通吗 ????

就是自举
咔咔

你说是逆变电路,总算明白了
这是自举,下管通时,D1给C1充电,三极管和下管都关闭时,通过4.7k打通上管

DC作为输入的话,象自举电路,但不明白怎么自举?
是不是解破别人的电路?有没有遗漏,或者连错的地方?输出的中间是不是接变压器?

哈哈哈哈!
明白了.如此简单!

推广!
什么强吸收和无员无损吸收都是这种结构的,统统称之为自举电路!!

还是不太明白这个问题,请指教.
是否直流15V电压加电容耦合过来的电压之和驱动栅极
但15V电压低于耦合电压,d1还能导通马 ????

我就罗嗦点
当控制信号为高时,Q1导通15付通过DD1,D1给C1充电.当控制信号为低时,Q1截止.C1上的充电电压,通过R1加在MOS的GS间使之导通.此时D1被反偏而截止.说白了就是利用给电容的冲放电支路不同,来实现能量的转移.

回路内没有电感,怎么会有续流存在?
回路内没有电感,怎么会有续流存在?

这个电路应该只是个示意图
实际应用还有很多东西.比如高压隔离的问题没有解决,实际搭电路要烧东西.

接感性负载
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请问怎么隔离,我确实烧了好几个mos
.

ok
ok

是自举电路,不过图好象有错
此电路是DC-AC的输出部分.具体工做如下:
1.首先这是桥试输出电路,输出MOS是交替导通.当左边为低电平,右为高电平时,15V电压经DD1给C1充电.当左边为高电平,右边为低电平时,15V电压经D7给C7充电.左边为高电压(300V)时,QD1控制极电压为300+UC1,电压高于300V,QD1 MOS导通.二极管D1,D7(接在MOS控制极上的)不会导通,应该是12V稳压二极管,起保护用.电阻R1,R7是两只三极管的负载电阻.MOS的体内二极管导通与负载的性质有关.以后铁图要把元件的序号标好,不要重复.不然叙述太麻烦.

不会
该电路可以直接用,但两只三极管和二极管耐压要够,我用过这种电路.不过要共地.

他的电路是高低压不共地的
你下面的分析我看了,有点问题.MOS管QD1的导通与否和300伏的输入电压没有任何关系(其他管子也一样).只决定于其GS间的电压,这个电路是利用C1的能量加在GS端实现导通的.把D1换成稳压二极管当然也可以,但正向并非没有用.

如果只是烧MOS,可能不是高压烧的.
始终觉得不安全.建议放弃这种驱动方式,用驱动IC,IR2110或IR2120.

不共地就麻烦
300V电压与MOS导通与否是没关系,只是我想说名MOS导通时其控制极电压有多高.二极管D1正向本来就没用,给电容充电回路是经过下面的MOS管到地.