在RCC設計中,一般先設定工作頻率,如為50K,然後設定工作DUTY在90V入力,最大輸出時為0.5
假設設計一功率為12V/1A
1. 最大輸出電流為定格電流的1.2~1.4倍,取1.3倍.
2. 出力電力Pout = Vout × Iout = 12V×1.3A = 15.6W
3. 入力電力 Pin = Pout/∩=22.3W(RCC效率∩一般設在65%~75% , 取70%)
4. 入力平均電流Iin=Pin/Vdc(INmin)=22.3/85*1.2=0.22( Vin(DCmin) = Vac(Inmin)×1.2)
5. T=1/swF=1/50K=20uS Ton=Toff=10uS
6. Ipk=Iin入力平均電流*2/DUTY=0.22*2/0.5=0.88
7. 一次側電感量Lp=Vin(DCmin)*Ton/Ipk=102*10/0.88=1159uH取1160uH
8. 選擇磁芯,根据磁芯規格,選擇EI28. Ae=0.85CM^2 動作磁通=2000~2800取2000(當然,這是很保守的作法)
9. Np=Ipk*Lp*K/Ae*▲Bm=(0.88*1160*100)/(0.85*2000)=60Ts
10. Ns=(Vout+Vf)*Np/Vin(DCmin)=7.6 取8Ts
11. 輔助電壓取5V(電晶體) 如功率管使用MOSFET則應設為11V
12. Vin(DCmin)/Np=Vb/Nb----Nb=2.94 取3Ts
故變壓器的構造如下:
Lp=1160uH
Np=60Ts
Ns=7Ts
Nb=3Ts
采用三明治繞法.
以上
如有問題請回復.
RCC設計方法詳解
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@michael1
請問三明治繞法﹐是怎么樣繞的可以講解一下嗎﹖具體變壓器是怎么樣繞的.
三明治繞法詳解:
所謂三明治就是夾層繞法,因結構如同三明治一樣,所以叫三明治繞法.
通常會有兩種繞法:
1. 一次側平均法,就是a.最底層繞上一半的圈數,b.然後再繞二次側,c.再繞一次側的另一半.d.再繞Vcc. 最常用的做法還會在二次側上下兩層各加一銅箔或繞線屏蔽.在小功率上會起到Y電容的效果,所以說在小功率上有些人說可以不用Y電容,其實在整體成本上沒有太大的差別.
2. 屏蔽繞法, 就是a.最底層繞上與二次相同的圈數,b.然後再繞二次側,c.再繞一次側的其它圈數.d.再繞Vcc. 這種方式很少加屏蔽.
當然還有很多種不同的配對方式.但基本原理是一樣的.
三明治的真正用意就是減小漏感,人為的在一次與二次之間加上一個寄生電容.
所謂三明治就是夾層繞法,因結構如同三明治一樣,所以叫三明治繞法.
通常會有兩種繞法:
1. 一次側平均法,就是a.最底層繞上一半的圈數,b.然後再繞二次側,c.再繞一次側的另一半.d.再繞Vcc. 最常用的做法還會在二次側上下兩層各加一銅箔或繞線屏蔽.在小功率上會起到Y電容的效果,所以說在小功率上有些人說可以不用Y電容,其實在整體成本上沒有太大的差別.
2. 屏蔽繞法, 就是a.最底層繞上與二次相同的圈數,b.然後再繞二次側,c.再繞一次側的其它圈數.d.再繞Vcc. 這種方式很少加屏蔽.
當然還有很多種不同的配對方式.但基本原理是一樣的.
三明治的真正用意就是減小漏感,人為的在一次與二次之間加上一個寄生電容.
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@cary.chen
三明治繞法詳解:所謂三明治就是夾層繞法,因結構如同三明治一樣,所以叫三明治繞法.通常會有兩種繞法: 1.一次側平均法,就是a.最底層繞上一半的圈數,b.然後再繞二次側,c.再繞一次側的另一半.d.再繞Vcc. 最常用的做法還會在二次側上下兩層各加一銅箔或繞線屏蔽.在小功率上會起到Y電容的效果,所以說在小功率上有些人說可以不用Y電容,其實在整體成本上沒有太大的差別.2.屏蔽繞法,就是a.最底層繞上與二次相同的圈數,b.然後再繞二次側,c.再繞一次側的其它圈數.d.再繞Vcc. 這種方式很少加屏蔽.當然還有很多種不同的配對方式.但基本原理是一樣的.三明治的真正用意就是減小漏感,人為的在一次與二次之間加上一個寄生電容.
三明治绕法是为了减小漏感!
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@cary.chen
三明治繞法詳解:所謂三明治就是夾層繞法,因結構如同三明治一樣,所以叫三明治繞法.通常會有兩種繞法: 1.一次側平均法,就是a.最底層繞上一半的圈數,b.然後再繞二次側,c.再繞一次側的另一半.d.再繞Vcc. 最常用的做法還會在二次側上下兩層各加一銅箔或繞線屏蔽.在小功率上會起到Y電容的效果,所以說在小功率上有些人說可以不用Y電容,其實在整體成本上沒有太大的差別.2.屏蔽繞法,就是a.最底層繞上與二次相同的圈數,b.然後再繞二次側,c.再繞一次側的其它圈數.d.再繞Vcc. 這種方式很少加屏蔽.當然還有很多種不同的配對方式.但基本原理是一樣的.三明治的真正用意就是減小漏感,人為的在一次與二次之間加上一個寄生電容.
应该说这种绕法是增强初次级的耦合性,以减小漏感!
我说的对吗?
我说的对吗?
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@bijingxin
你好!你这个是成熟的方案吗?另外还要请教两个问题:1.Ipk公式是不是要在分母乘一个效率?2.Np的计算公式中K,是常数吗?它是怎么推导出的?以上:如能赐教不胜感激!对了,还想请教一下反激变压器的计算方法:Np=(VDCmin*Ton)/(Bm*Ac)这个公式准确吗?算次级时按照安匝比的算法好象算出来的不太准确!
方案很保守,但一定可行,因為我用更不保守的作法都已經做出來了.量產幾KK.Ipk不用再*效率了.因為效率在Iin中已有加入.
K值是一個單位換算的問題,如公式中的單位就是取100,如用標準單位則自己去換回來就好了.
公式沒有問題,只是頻率請不要用50K去設計.因為EMI在工作頻率的奇數倍是最不好過的.50*3=150K.已到了EMI需要測試的地方了.我只是為了計算方便.實際設計中請用45K~47K.會是比較好的.
K值是一個單位換算的問題,如公式中的單位就是取100,如用標準單位則自己去換回來就好了.
公式沒有問題,只是頻率請不要用50K去設計.因為EMI在工作頻率的奇數倍是最不好過的.50*3=150K.已到了EMI需要測試的地方了.我只是為了計算方便.實際設計中請用45K~47K.會是比較好的.
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@cary.chen
方案很保守,但一定可行,因為我用更不保守的作法都已經做出來了.量產幾KK.Ipk不用再*效率了.因為效率在Iin中已有加入.K值是一個單位換算的問題,如公式中的單位就是取100,如用標準單位則自己去換回來就好了.公式沒有問題,只是頻率請不要用50K去設計.因為EMI在工作頻率的奇數倍是最不好過的.50*3=150K.已到了EMI需要測試的地方了.我只是為了計算方便.實際設計中請用45K~47K.會是比較好的.
在RCC電路中工作頻率是變的,輪入電壓低頻率也低,所以在90vac時是47khz,但在100VAC時就可能是50Khz,就變得毫無意義,是吧?
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@cary.chen
方案很保守,但一定可行,因為我用更不保守的作法都已經做出來了.量產幾KK.Ipk不用再*效率了.因為效率在Iin中已有加入.K值是一個單位換算的問題,如公式中的單位就是取100,如用標準單位則自己去換回來就好了.公式沒有問題,只是頻率請不要用50K去設計.因為EMI在工作頻率的奇數倍是最不好過的.50*3=150K.已到了EMI需要測試的地方了.我只是為了計算方便.實際設計中請用45K~47K.會是比較好的.
1097780568.pdf
高手你好!我目前手上有一个RCC的案子,如上图.按照你的方法计算的参数如下:1. Vin=100~264Vac(50~60Hz)
Vout:
2. V1=3.3V/1.3A;V2=12V/0.5A;22V/0.8A f=45KHz
3. Pout=(3.3*1.3+12*0.5+22*0.8)*1.3=36.3W
Pin=Pout/∩=36.3/0.7=52W
Iinrms=Pin/Vdcmin=52/120=0.43A
4. T=1/f=1/45K=22us Ton=Toff=11us
5. Ipk=Iin*2/D=1.72A
6. Lp=Vdcmin*Ton/Ipk=767uH
7. 选用EI28 0.85cm2 2000Gs
8. Np=Ipk*Lp*K/Ae*△Bm=(1.72*767*100)/(0.85*2000)=78Ts
9. Ns1=((3.3+0.7)*78)/120=3Ts (3.3V)
10. Ns2=(13*3)/4=10Ts (12V)
11. Ns3=(23*3)/4=18Ts (22V)
12. Nb=(12*78)/120=8Ts
请帮我看一下计算的对吗?
高手你好!我目前手上有一个RCC的案子,如上图.按照你的方法计算的参数如下:1. Vin=100~264Vac(50~60Hz)
Vout:
2. V1=3.3V/1.3A;V2=12V/0.5A;22V/0.8A f=45KHz
3. Pout=(3.3*1.3+12*0.5+22*0.8)*1.3=36.3W
Pin=Pout/∩=36.3/0.7=52W
Iinrms=Pin/Vdcmin=52/120=0.43A
4. T=1/f=1/45K=22us Ton=Toff=11us
5. Ipk=Iin*2/D=1.72A
6. Lp=Vdcmin*Ton/Ipk=767uH
7. 选用EI28 0.85cm2 2000Gs
8. Np=Ipk*Lp*K/Ae*△Bm=(1.72*767*100)/(0.85*2000)=78Ts
9. Ns1=((3.3+0.7)*78)/120=3Ts (3.3V)
10. Ns2=(13*3)/4=10Ts (12V)
11. Ns3=(23*3)/4=18Ts (22V)
12. Nb=(12*78)/120=8Ts
请帮我看一下计算的对吗?
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@bijingxin
1097780568.pdf高手你好!我目前手上有一个RCC的案子,如上图.按照你的方法计算的参数如下:1.Vin=100~264Vac(50~60Hz)Vout:2.V1=3.3V/1.3A;V2=12V/0.5A;22V/0.8A f=45KHz3.Pout=(3.3*1.3+12*0.5+22*0.8)*1.3=36.3WPin=Pout/∩=36.3/0.7=52WIinrms=Pin/Vdcmin=52/120=0.43A4.T=1/f=1/45K=22us Ton=Toff=11us5.Ipk=Iin*2/D=1.72A6.Lp=Vdcmin*Ton/Ipk=767uH7.选用EI28 0.85cm2 2000Gs8.Np=Ipk*Lp*K/Ae*△Bm=(1.72*767*100)/(0.85*2000)=78Ts9.Ns1=((3.3+0.7)*78)/120=3Ts(3.3V)10.Ns2=(13*3)/4=10Ts(12V)11.Ns3=(23*3)/4=18Ts(22V)12.Nb=(12*78)/120=8Ts请帮我看一下计算的对吗?
RCC在做多組輸出時會要經過調整的.因為多組輸出的負載變化率相對會比較困難.且效率做起來不是很好的,所以可能的話變壓器盡可能的大,其實變壓器增大對成本是沒什麼很大的關系,只是體積的要求合不合適的.現實中你的▲Bm可以到2500都是沒有問題的.公式與回路結構也是會有一定關系的.整體來說應無大問題,不過二次的圈數會有需要調整的可能.
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@bijingxin
1097780568.pdf高手你好!我目前手上有一个RCC的案子,如上图.按照你的方法计算的参数如下:1.Vin=100~264Vac(50~60Hz)Vout:2.V1=3.3V/1.3A;V2=12V/0.5A;22V/0.8A f=45KHz3.Pout=(3.3*1.3+12*0.5+22*0.8)*1.3=36.3WPin=Pout/∩=36.3/0.7=52WIinrms=Pin/Vdcmin=52/120=0.43A4.T=1/f=1/45K=22us Ton=Toff=11us5.Ipk=Iin*2/D=1.72A6.Lp=Vdcmin*Ton/Ipk=767uH7.选用EI28 0.85cm2 2000Gs8.Np=Ipk*Lp*K/Ae*△Bm=(1.72*767*100)/(0.85*2000)=78Ts9.Ns1=((3.3+0.7)*78)/120=3Ts(3.3V)10.Ns2=(13*3)/4=10Ts(12V)11.Ns3=(23*3)/4=18Ts(22V)12.Nb=(12*78)/120=8Ts请帮我看一下计算的对吗?
看你回路圖,還有一個最大的問題,就是變壓器的起繞點的問題,所有的都剛好反了.你這樣做出來的變壓器在EMI測試上會有很大的問題,或者說能過,也會要加入其它的對策元件.
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@cary.chen
RCC在做多組輸出時會要經過調整的.因為多組輸出的負載變化率相對會比較困難.且效率做起來不是很好的,所以可能的話變壓器盡可能的大,其實變壓器增大對成本是沒什麼很大的關系,只是體積的要求合不合適的.現實中你的▲Bm可以到2500都是沒有問題的.公式與回路結構也是會有一定關系的.整體來說應無大問題,不過二次的圈數會有需要調整的可能.
谢谢!
一般来说磁性材料的磁导率与材质有关,是不是我们使用的锰锌的软磁材质的取值都在2000~3000之间?
另外,还请你帮我的电路提点建议,你看一下有没不合理的地方!
你是在深圳吗?可以交个朋友吗?能不能把你的联系方式发到我的邮箱:bijingxin@163.com
等一下你在看一下我的绕法有没有问题.
一般来说磁性材料的磁导率与材质有关,是不是我们使用的锰锌的软磁材质的取值都在2000~3000之间?
另外,还请你帮我的电路提点建议,你看一下有没不合理的地方!
你是在深圳吗?可以交个朋友吗?能不能把你的联系方式发到我的邮箱:bijingxin@163.com
等一下你在看一下我的绕法有没有问题.
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