反激变压器计算其实是很简单的，复杂的是对磁芯材质选择，磁芯结构的选择，绕线方式的选择，以及如何更好的通过变压器解决EMI/EMC问题。计算方法很简单：先算出Lp。Lp的计算可完全参考BOOST架构的计算。步骤如下：1.  DUTYMAX：在反激架构中，最大DUTY出现在最低输入电压时，且不建议超过0.5，原因是大于0.5时，需增加电流斜波补偿，使设计变得困难，所以我们设定DUTYMAX为0.45。 根据伏秒平衡，计算变压器初次测反射电压，并判断其合理性。VIN-DCMIN*DMAX=Vf(1-DMAX)，算出Vf=103.9V，MOSFET的耐压为600V,考虑到漏磁反向电压，及一定的余量。通常设计时不超过80%的耐压，所以MOSFET上的最大电压为不超过480V；当输入电压为264V时，整流后的直流电压为264*1.414=373.296V，取一个较好算的值375V。480-375=105V，所以变压器初次测反馈电压不超过105V。计算Vf=103.9V，满足要求。2.根据上面的计算，可知DUTY设计为0.45是可以的。  初次侧电流变化率计算。设在最大占空比时，当开关管开通时，原边电流为IP1，当开关管关断时，原边电流上升到IP2，若IP1为0，则说明变换器工作于断续模式，否则工作于连续模式，由能量守恒，我们有下公式：1/2*(IP1+IP2)*DMAX*VINDCMIN=POUT/效率。。在连续模式下，通常设计为IP2=3*IP1；DIP=IP2-IP1。上两式可计算出IP1和IP2，及DIP。L=DMAX*VINMIN/f*DIP。电感量被计算出来了。 变压器的后续设计，下回分解。。

不是说100%的DUTY有没有用,而是说不要一味的追求这个数字.特别是在支持较高输入电压时,比如超过12V输入电压时,通常100%的DUTY意味着更高的成本.而是说结合应用情况,和对性价比的要求选择合适的产品就可以了.比如,在12V转5V时,100%DUTY的情况不可能出现,当然也就不能成为评估的一个指标.但在锂电池的便携式产品中,通常要求锂电降压到3.3V或更高,这时候压差要求非常小,100%DUTY就成了一个重要的指标参数.

交流和直流的电压分别是多少?如果相差不大的话,可以考虑设计同时支持交流或直流的产品,根本无需去考虑输过来的是交流还是直流.

如果电流不大,可以考虑使用升降压回路..

LDO的性能未必比7805好,7805和LDO都是属于线性稳压调整器类,不同的应用场合对部分参数有特别的要求,于是就有了低噪声、低静态电流、低压差、低漏电流等可以在不同场合应用的LDO.至于你说的LDO比7805的性能要好,完全是潜意识的理解,你用在25V转3.3V,压差超过20V,所以低压差对此应用来讲根本就是无意义的.当然如果有其它参数的特别要求例外,比如需要低噪声,或低漏电流等,此时要选择能够满足要求的LDO.PD＝(25-5)X0.04=0.8W;SOT-89的封装基本上是不行的,最少要保证超过SOT-223封装.

输入电压5V;输出电压最高可达30V,SOT-23-5封装.不过输出电流能力不大,约在15mA左右.10491261112979.pdf

你所讲的SOT-89应该是仅能针对LDO来讲.25V转5V的DC/DC因需要外接电感,FB脚,COMP脚等,所以不太可能是SOT-89封装.如果选择LDO,你首先要确认的就是功率损耗.(25V-5V)X0.15=3W;也就是说在LDO本体上有3W的功率损耗会转化为热.除非加散热片,不然没有任何封装可以承受如此大的功率损耗.以TO-263的最大封装,在没有散热片的情况下,理论功率损耗也只能达到2.1W,实际承受功率损耗约在1.5W.如果持续电流只有60mA,那么功率损耗为(25-5)x0.06＝1.2W,选择的最小封装要TO-252.所以说如果要用LDO的方式实现,LDO的最小封装不得小于TO-252.

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没前景,为什么不考虑做电源管理IC呢..PMIC才是以后的发展主方向..以前手机上有多少颗电源IC,现在呢.只有三四颗就搞定了..

就是这样的..但正常的充电电流请不要大于1C..