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电源技术综合区
IGBT器件问题
IGBT器件问题
看了IGBT有关资料,没有看到像mosfet那样有通态电阻的说明,IGBT有没有像mosfet那样的通态电阻啊?功耗如何计算呢?
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求知星际
LV.6
2
2006-12-29 15:18
怎么没有人知道吗?
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zli
LV.7
3
2006-12-29 17:17
@求知星际
怎么没有人知道吗?
IGBT等效成MOS与晶体管复合,在导通时主要是晶体管导电,MOSFET作为栅极输入,为晶体管提供基极电流,所以一般不关注其通态电阻.只关注其三极管的通态压降.此参数决定了其通态损耗.
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求知星际
LV.6
4
2006-12-30 09:38
@zli
IGBT等效成MOS与晶体管复合,在导通时主要是晶体管导电,MOSFET作为栅极输入,为晶体管提供基极电流,所以一般不关注其通态电阻.只关注其三极管的通态压降.此参数决定了其通态损耗.
我知道一般通态压降为1.5~3V之间,是不是与通态电流得乘积就是功耗啊
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zli
LV.7
5
2006-12-30 18:43
@求知星际
我知道一般通态压降为1.5~3V之间,是不是与通态电流得乘积就是功耗啊
当然,就是通态损耗.
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