球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) ,推出最新150V DirectFET MOSFET IRF6643PbF,适用于36V至75V通用电信输入及48V固定输入系统等多种运行环境的隔离式DC-DC转换器.新型DirectFET器件采用IR先进的DirectFET封装技术及新一代HEXFET功率MOSFET硅,额定电流可达35A,其散热表现更加卓越且效率更高,而占板面积则只相当于扁平型SO-8封装.
IR亚太区高级销售总监曾海邦表示:“IR DirectFET系列的最新器件通过持续改善影响功率MOSFET、RDS(on)、QG及QGD性能的关键参数,将传导、开关及反向恢复损耗降至最低.这些改进不仅可保证器件在较高电流电平下工作,同时也保持了单个MOSFET的小巧体积.由于电路版的面积减少了50%以上,因此现在一个DirectFET MOSFET可以替代两个或三个SO-8封装器件.”
该器件的典型10V RDS(on) 非常低,只有29mΩ.其低电感使器件更加适合大电流同步整流插座.而且,IRF6643TRPbF的QG低至39nC、QGD低至11nC,因此可作为隔离式或中间DC总线转换器的原边MOSFET.IRF6643TRPbF采用中级尺寸 (MZ) DirectFET封装.有关新器件的详细数据,详见以下网址http://www.irf.com/whats-new/nr061214.html.
产品基本规格如下:
器件编号
封装
BVDSS(V)
10V下最大RDS(on) (mOhm)
10V下典型RDS(on) (mOhm) VGS (V)
25oC下的
ID (A)
典型QG (nC)
典型QGD
(nC)
IRF6643TRPbF
DirectFET中罐
150
34.5
29
20
35
39
11
IR的DirectFET MOSFET封装具有以往标准塑料分立封装所不能提供的全新设计优势,并已获得专利保护.其金属罐构造可提供双面冷却功能,将用于驱动先进微型处理器的高频DC-DC降压转换器的电流处理能力有效增加一倍.此外,DirectFET封装内的器件均符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS).有关DirectFET MOSFET封装技术的详情,可浏览directfet.irf.com及discovery.irf.com.
