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NCP1800的应用(附图)

在给锂电充电管理中,当电池过久没用的时候,开始是小电流恒流充电,当电压达到某值的时候开始大电流恒流充电,当电压达到一定的时候开始恒压充电.如附图500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='这是一张缩略图,点击可放大。\n按住CTRL,滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/50/1170900516.jpg?x-oss-process=image/watermark,g_center,image_YXJ0aWNsZS9wdWJsaWMvd2F0ZXJtYXJrLnBuZz94LW9zcy1wcm9jZXNzPWltYWdlL3Jlc2l6ZSxQXzQwCg,t_20');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">,在NCP1800的应用中500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='这是一张缩略图,点击可放大。\n按住CTRL,滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/50/1170900589.jpg?x-oss-process=image/watermark,g_center,image_YXJ0aWNsZS9wdWJsaWMvd2F0ZXJtYXJrLnBuZz94LW9zcy1wcm9jZXNzPWltYWdlL3Jlc2l6ZSxQXzQwCg,t_20');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">选择功率器件P-CHANNEL MOSFET(在整个充电过程与功率MOSFET一直工作在线形区)选用了一个与SCHOTTKY封装在一起的FETKY器件,整个充电应用图500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='这是一张缩略图,点击可放大。\n按住CTRL,滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/50/1170900795.jpg?x-oss-process=image/watermark,g_center,image_YXJ0aWNsZS9wdWJsaWMvd2F0ZXJtYXJrLnBuZz94LW9zcy1wcm9jZXNzPWltYWdlL3Jlc2l6ZSxQXzQwCg,t_20');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">,在这个电路图中,我不知道在这里加个SCHOTTKY有什么好处,封装在一起又有什么好处(封装在一起散热是个问题,工艺及制作成本也是问题),何解?
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lmlsl
LV.3
2
2007-02-08 10:27
NCP1800 DATASHEET1170901629.pdf
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2007-02-08 16:45
@lmlsl
NCP1800DATASHEET1170901629.pdf
别搞错了,那不是封装在一起的,是MOSFET本身存在的
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lmlsl
LV.3
4
2007-02-08 16:58
@求知星际
别搞错了,那不是封装在一起的,是MOSFET本身存在的
我没弄错,看看他们选用的型号就知道NTHD4P02F:1170925090.pdf
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洪七公
LV.9
5
2007-02-08 21:38
@lmlsl
我没弄错,看看他们选用的型号就知道NTHD4P02F:1170925090.pdf
封装在一起的作用我想主要是体积小.容易安装.至于封萧特基在里面是利用萧特基比Mosfet本身的体二极管的反向恢复时间更短,可以高效工作.至于封装在一起散热,工艺及制作成本问题主要是针对大电流的产品,大电流的产品将Mosfet和萧特基封装在一起的没有见过.这种小电流的还是能解决.

我们也有一款类似的产品,Vgs(th),和Rds性能更好.见附件1170941847.pdf
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lmlsl
LV.3
6
2007-02-09 09:50
@洪七公
封装在一起的作用我想主要是体积小.容易安装.至于封萧特基在里面是利用萧特基比Mosfet本身的体二极管的反向恢复时间更短,可以高效工作.至于封装在一起散热,工艺及制作成本问题主要是针对大电流的产品,大电流的产品将Mosfet和萧特基封装在一起的没有见过.这种小电流的还是能解决.我们也有一款类似的产品,Vgs(th),和Rds性能更好.见附件1170941847.pdf
成本不划算,我还是直接找个单独P-CHANNEL MOSFET算了,我觉得这样没什么问题
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洪七公
LV.9
7
2007-02-09 10:42
@lmlsl
成本不划算,我还是直接找个单独P-CHANNELMOSFET算了,我觉得这样没什么问题
呵呵.单独的P mosfet 我们也有.
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lmlsl
LV.3
8
2007-02-09 13:56
@洪七公
呵呵.单独的Pmosfet我们也有.
什么公司,去你们网页看看
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洪七公
LV.9
9
2007-02-10 19:14
@lmlsl
什么公司,去你们网页看看
产品目录见附件
1171106026.pdf
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