但是，持续不断地努力开发更好的工艺技术不是改良MOSFET的唯一途径；概念设计的变革可能会极大地提高性能。这样的突破就是飞利浦去年11月宣布：开发成功TrenchMOS工艺。其栅结构不是与裸片表面平行，现在是构建在沟道之中，垂直于表面，因此，占用的空间较少并且使电流的流动真正是垂直的(见图3)。在RDS(on)相同的情况下，飞利浦的三极管把面积减少了50%；或者，在相同的电流处理能力下，把面积减少了35%。
