一种采用ＰＳＧ掺杂技术的ＶＤＭＯＳ、ＩＧＢＴ功率器件及其制造工艺，属于微电子技术领域，由金属底层、Ｎ＋衬底层（在Ｉ ＧＢＴ功率器件中为Ｐ＋衬底层）、Ｎ－外延层、Ｐ－区、Ｐ＋区、Ｎ＋区、热氧化ＳｉＯ↓［２］栅氧层、多晶硅栅层、源栅隔离层和金属表层组成。由磷硅玻璃ＰＳＧ层以单层的形式充任源栅隔离层，取代现有技术中由ＳｉＯ↓［２］层和ＰＳＧ层组合的结构形式，且磷硅玻璃ＰＳＧ层作为生成Ｎ＋区时的掺杂源，利用其中的磷向硅中的扩散形成Ｎ＋区，从而有效减少了生产过程中光刻等处理的工序，既有利于降低生产成本、又有利于大幅度提高ＶＤＭＯＳ、ＩＧＢＴ功率器件的工作可靠性，具有极强的实用性和经济性。
这种技术是吉林华微电子发明并应用 大大提高了高压MOS的可靠性与稳定性，使高压MOS的工艺成本再次降低，其中，2N60 4N60 5N60 6N60 7N60 7N65 8N60 10N60 12N60 在中小功率电子器件中，形成强有力的市场竞争力，本人在吉林华微电子原厂从事销售业务，需要了解价格，请留下联系方式谢谢，我就不留联系方式了 会被删帖的
下期会介绍：扩散抛光片单侧主扩散制作方法 敬请期待
