当做IGBT驱动时，一直使用的为厚膜驱动电路，比如EXB841，VLA517等，虽然可靠性很高，但是成本也不低，除了驱动电路本身，还有独立的供电系统，比如全桥拓扑的IGBT驱动，需要四个厚膜电路，外加四个隔离的电源系统，这成本放到小功率的模块上就很奢侈了，最近在看关于IR2113的自举式的IGBT驱动，通过理论分析,把EXB841驱动IGBT的思想移植到IR2113的驱动上面，并设计一款功率1500w的高压逆变电源系统。
输入电压：220Vac（175Vac~275Vac）
功 率：1500W
输入峰值电流：1500W/0.9/(175*1.414)*2=13.5A
峰值电压：275*1.414*1.5=583.275V
选用IGBT IKW40N65H
IR2113为悬浮自举驱动芯片，电压可以到600V(IR2110为500v)，通过电容与二极管搭配使用
内部的原理图如下：
IR2113自举驱动原理：
通过VCC供电，VCC一般选取24V(IGBT驱动电压15V,用于消除IGBT的米勒效应9v（负压）)。开始工作时，VCC通过二极管，给电容充电。
