变压器匝数比8:10 初级电感23uH
刚上电 占空比23% 然后
MOSFET（用IRFBC20 ）会发热 ，占空比不断上升...
上面的图 需要修改哪些部分参数，感觉变压器问题最大
应该怎么改进绕制
这个是实际已经搭出来的电路图
那部分电路后来调整过；
R1 102 ；R2 201； R4、R11 都是103
打算做输出5V的DC-DC 功率在10W左右...
频率最大不是500K吗？ 现在的频率是150K 上面的图是刚试验的 结果没多久 2845烧坏了...............
磁芯是PC40 EE19骨架 自己用手头材料绕制的
根据我们以前做汽车功放机的经验（把汽车12伏电源升压到24-48伏），24伏工作时，一般初级绕组最少在10-12匝，8匝在24伏电源下工作的话，好像没这样绕制过。
变压器建议你改成12:2或者12:3，工作要比现在可靠。做成8:10.你怎么能把24伏可靠降到5伏？
你现在的绕法，在15伏电源下工作，是比较可靠的，工作在24伏，管子要发热。可以试验一下。
你电源上加的22限流电阻，是多此一举了。这样限制了芯片的输出峰值电流最多1安（印象中该芯片的图腾峰值可达2a）。mos管的触发并不是不需要电流，因为有结电容的存在，瞬间触发电流也是要达到几百mA的！如果硬要加的话，后面一定要加100uf以上的滤波电容，否则你的波形很可能产生毛刺，造成Mos发热！波形上已经显示出来了。
波形上看到，你的峰峰值是30.6伏，这样芯片容易坏，非常危险。你的d5一定用错型号了，而且不能用在r10前面，要用在后面。用18-24伏稳压，这样峰值就会保持在18-24左右，而不是波形上的30伏。
另外这种芯片，工作在50khz左右，已经很不错。这么高的频率，变压器也会很热。芯片6脚的22r的电阻也会让mos充放电时间过长，造成mos发热，可把22电阻改成10，会减少发热量，但是太小可能会造成啸叫。
最重要的一点，一个反馈电阻没有调好，造成你说的2845烧坏。实际上是mos先烧坏，然后殃及2845坏了。
感觉你是看的网上的资料，做的这个电路，而且是本论坛的资料。但是有些网上的资料，只是理论，没经实践考验是无用的
这个问题注意到了 已经去采购了 。
现在最新的结果是
RT是10K CT是2.0nF 频率45KHZ
用这个MOS 带了2W的负载 然后温度达到50多度
问题是 负载不同的时候 6口输出的频率也变 占空比也变，
变压器匝数比是20:8
MOS 换成内阻小的 发热量有改善 可是很小负载的时候 占空比是固定的 稍微大些 就有窄波宽波
看图
