24VDC升压DC365V0.1A电源结构怎么选？

最近想做个DC24V升压DC365V0.1A电源，后续用来做220V的正弦波逆变器，但是应该选什么呢？各种结构有什么优劣势存在？大家都献言献策下，我也后续会把制做过程，遇到问题，结论更新上来大家一起讨论；由于第一次练手从小功率开始。

我现在的想法是：反激结构，推挽结构两种；

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rj44444

2014-04-21 18:57

用推挽的话基本上开环结构，因此出来的DC可能不会很稳定，这是缺点，优点是磁芯可以比较小，初次级侧的电容可以比较小。

反激的优缺点正好与推挽相反，两者都是可以的。

older123

LV.4

2014-04-25 10:25

@rj44444

用推挽的话基本上开环结构，因此出来的DC可能不会很稳定，这是缺点，优点是磁芯可以比较小，初次级侧的电容可以比较小。反激的优缺点正好与推挽相反，两者都是可以的。

我打算用推挽加上电压反馈环来做，现在心里有疑惑的是怕这个结构的磁芯不平衡问题；输入电压好在是不高这个问题应该可以小点吧？这个是我的见解

st.you

LV.10

2014-04-26 09:04

反激，DCM模式。

linss

LV.5

2014-04-26 09:10

@st.you

反激，DCM模式。

都可以呀

ceh168

LV.5

2014-04-26 21:18

@st.you

反激，DCM模式。

同意，我做过低压反激，效率也非常高，成本也不高，还具有工作电压范围宽，输出稳压的有点。

older123

LV.4

2014-04-30 15:09

现在确定下来，采用反激结构来做，可以减小输出整流二极管的耐压要求，另一个不用输出电感；

现在确定的参数如下：

输入：DC20V-30V；输出：360VDC 0.1A 工作频率：F=50000HZ，T=20US；

计算得：MOS管用：100V40A；

变压器：初级：12T（4股*0.5MM线）；次级：150T（单股0.32MM线）；

初级电感量：22UH；最大占空比为：0.485；

各位也帮我把把关，看看选什么芯片好？如果选用PI的DPA系列可行吗？

rj44444

2014-04-30 15:19

@older123

现在确定下来，采用反激结构来做，可以减小输出整流二极管的耐压要求，另一个不用输出电感；现在确定的参数如下：输入：DC20V-30V；输出：360VDC0.1A 工作频率：F=50000HZ，T=20US；计算得：MOS管用：100V40A；变压器：初级：12T（4股*0.5MM线）；次级：150T（单股0.32MM线）；初级电感量：22UH；最大占空比为：0.485；各位也帮我把把关，看看选什么芯片好？如果选用PI的DPA系列可行吗？

用内置功率管的不合适，随便用一个控制器，外挂MOS